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집적회로 설계이론반도체설계산업기사(변경) · 2017년05월07일 · 68/80

68.nMOSFET의 반전 모드에서 게이트 전압을 증가(VG > 0) 시키면 산화층과 실리콘의 경계면에 캐리어가 정공에서 전자로 바뀌게 되는데, 이때 형성된 층을 무엇이라고 하는가?

1
채널정답
2
공핍층
3
핀치오프
4
금속층

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