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반도체설계산업기사(변경)
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2017년05월07일
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68번
집적회로 설계이론
반도체설계산업기사(변경) · 2017년05월07일 · 68/80
68.
nMOSFET의 반전 모드에서 게이트 전압을 증가(VG > 0) 시키면 산화층과 실리콘의 경계면에 캐리어가 정공에서 전자로 바뀌게 되는데, 이때 형성된 층을 무엇이라고 하는가?
1
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2
공핍층
3
핀치오프
4
금속층
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