전기응용 및 공사재료전기공사기사 · 2019년03월03일 · 4/100
4.IGBT 의 설명으로 틀린 것은?
1
GTO 사이리스터처럼 역방향 전압저지 특성을 갖는다.
2
오프상태에서 SCR 사이리스터처럼 양방향 전압저지 능력을 갖는다.정답
3
게이트와 에미터간 입력 임피던스가 매우 높아 BJT 보다 구동하기 쉽다.
4
BJT처럼 온드롭(no-drop)이 전류에 관계없이 낮고 거의 일정하여 MOSFET 보다 큰 전류를 흘릴 수 있다.
해설
◈IGBT(Insulated Gate Bipolar Transister)의 특징 1. 대전류·고전압의 전기량을 제어할 수 있는 자기 소호형 소자 2. MOS구조를 가진 바이폴라 소자 → 파워 MOS-FET의 고속성과 파워 트랜지스터의 저 저항성을 겸비한 파워소자, 즉, MOSFET, BJT, GTO의 장점을 결합한 일종의 하이브리드(hybrid) 소자 3. MOSFET과 같이 전압제어소자 4. 게이트와 에미터간 입력 임피던스가 높아 BJT보다 구동이 용이 5. BJT처럼 순방향 전압강하가 전류에 관계없이 낮고 거의 일정하다 6. MOSFET보다 훨씬 큰 전류를 흘릴 수 있다. 7. GTO처럼 역방향 전압저지 특성을 갖는다. 8. 부(-)의 온도계수를 가지므로 온도 상승시 저항이 증가하여 전류가 감소하는 특성을 갖는다 9. 병렬 접속은 비교적 쉽게 행하여지나, 직렬 접속시에는 접속된 소자의 전압 밸런스를 맞추기 위해서 스너버 회로의 적정한 콘덴서 용량 선정이 필요하다.