전기 이론전기기능사 · 2011년02월13일 · 19/60
19.진성 반도체의 4가의 실리콘에 N형 반도체를 만들기 위하여 첨가하는 것은?
1
게르마늄
2
갈륨
3
인듐
4
안티몬정답
해설
N형 반도체를 만들기 위해선 (P(인),As(비소),Sb(안티몬)등..)5족의 불순물을 도핑하고, P형 반도체를 반들기 위해선 (In(인듐),Ga(갈륨),Al(알루미늄),B(붕소)등..) 3족의 불순물을 도핑한다.
N형 반도체를 만들기 위해선 (P(인),As(비소),Sb(안티몬)등..)5족의 불순물을 도핑하고, P형 반도체를 반들기 위해선 (In(인듐),Ga(갈륨),Al(알루미늄),B(붕소)등..) 3족의 불순물을 도핑한다.