전기기기전기기사 · 2020년08월22일 · 52/100
52.IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)에 대한 설명으로 틀린 것은?
1
MOSFET와 같이 전압제어 소자이다.
2
GTO 사이리스터와 같이 역방향 전압저지 특성을 갖는다.
3
게이트와 에미터 사이의 입력 임피던스가 매우 낮아 BJT 보다 구동하기 쉽다.정답
4
BJT처럼 on-drop 이 전류에 관계없이 낮고 거의 일정하며, MOSFET보다 훨씬 큰 전류를 흘릴 수 있다.
해설
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) - MOSFET, BJT, GTO 사이리스터의 장점을 결합한 소자. - 게이트와 에미터 간 입력 임피던스가 매우 높아 BJT보다 구동이 쉽다. - MOSFET보다 훨씬 큰 전류를 흘릴 수 있다 - 역방향 전압 저지 특성을 갖는다 - 스위칭 속도가 빠르다 - turn on/off시 높은 서지전압 발생