과목 구분 없음9급 국가직 공무원 전자공학개론 · 2013년07월27일 · 11/20
11.트랜지스터에 대한 설명으로 옳은 것은?
1
MOSFET은 이미터, 베이스, 컬렉터의 3개의 단자를 갖는다.
2
n채널 MOSFET은 n형 기판에 형성된다.
3
BJT는 MOSFET에 비해 작게 만들 수 있어 초고집적회로 (VLSI)에 유리하다.
4
BJT는 두 개의 PN 접합으로 구성된다.정답
해설
1. MOSFET은 소스, 게이트, 드레인의 3개 단자를 갖는다. (이미터, 베이스, 컬렉터의 3개의 단자를 갖는 소자는 BJT) 2. n채널 MOSFET은 p형 기판에 p채널 MOSFET은 n형 기판에 형성된다. 3. MOSFET은 BJT에 비해 작게 만들 수 있어 초고집적회로 (VLSI)에 유리하다. 4. BJT는 두 개의 PN 접합으로 구성되어 PNP 또는 NPN 트랜지스터가 된다.