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과목 구분 없음9급 국가직 공무원 전자공학개론 · 2017년04월08일 · 17/20

17.실리콘 기반의 N채널 증가형 MOSFET 구동 시에 더 많은 드레인 전류 값을 얻는 방법은? (단, 트랜지스터는 포화영역에서 동작한다)

1

게이트 산화막의 두께를 줄인다.정답

2

소스와 드레인 전극의 간격을 길게 한다.

3

유전율이 낮은 게이트 산화막으로 교체한다.

4

실리콘을 전자 이동도가 낮은 물질로 대체한다.

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