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과목 구분 없음9급 국가직 공무원 전자공학개론 · 2018년04월07일 · 14/20

14.증가형 n－채널 MOSFET의 문턱전압에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?

1

기판의 도핑농도가 클수록 문턱전압은 증가한다.

2

채널 폭이 좁아질수록 문턱전압은 감소한다.정답

3

채널 길이가 짧아질수록 문턱전압은 감소한다.

4

드레인－소스 전압이 증가할수록 문턱전압은 감소한다.

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