과목 구분 없음9급 국가직 공무원 전자공학개론 · 2012년04월07일 · 2/20
2.N형 MOSFET에 대한 설명으로 옳지 않은 것은? (단, MOSFET은 차단영역에 있지 않다고 가정한다)
1
MOSFET 드레인(drain)에 흐르는 전류량은 동일 조건에서 소자의 채널길이(channel length)가 작아지면 증가한다.
2
MOSFET 드레인(drain)에 흐르는 전류량은 온도에 영향을 받지 않는다.정답
3
MOSFET가 포화영역에서 동작할 때, 유효채널길이(effective channel length)는 드레인－소스(drain-source) 사이의 전압(VDS)에 따라서 변할 수 있다.
4
MOSFET의 문턱전압(threshold voltage)은 소스－바디(source-body) 사이의 전압(VSB)에 따라서 변할 수 있다.
해설
전자의 이동도는 온도에 따라 영향을 받고 문턱전압은 소스-바디 사이의 전압에 따라 변할 수 있다. 또한 MOSFET가 포화영역에서 동작할 때 유효채널길이는 Drain-Source 사이의 전압에 따라 변할 수도 있다. 온도가 상승할수록 전자의 운동속도가 빨라지게 되고 따라서 전자가 불순물 근처에 머무는 시간이 줄어들게 되고 진로 변경의 정도를 나타내는 scattering의 정도가 줄어들게 되므로써 온도가 올라가면 전자의 이동도는 증가하게 된다.