로그인 회원가입

레이저 및 광전자광학기사 · 2015년05월31일 · 66/80

66.GaAs반도체 재료는 실온에서 1.4eV의 에너지 밴드의 갭을 갖고 있다. GaAs를 사용한 반도체레이저의 발진파장은?

1

805nm

2

886nm정답

3

924nm

4

975nm

이전 문제 목록 다음 문제

이 시험을 직접 풀어보세요

실전과 동일한 CBT 환경에서 시간 제한 연습

회원가입 없이 CBT 풀기