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집적회로 설계이론반도체설계산업기사(변경) · 2008년09월07일 · 78/80

78.MOS 구조의 전계효과 중 게이트 전압 VG가 크게 증가하면 전계의 증가에 의해 산화층과 실리콘의 경계 면에 소수 캐리어인 전자가 모이는 현상은?

1

공핍 모드(Depletion mode)

2

반전 모드(Inversion mode)정답

3

축적 모드(Accumulation mode)

4

바디 바이어스 효과(Body bias effect)

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