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반도체설계산업기사(변경)
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2019년04월27일
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75번
집적회로 설계이론
반도체설계산업기사(변경) · 2019년04월27일 · 75/80
75.
동일한 조건에서 MOS 트랜지스터의 게이트 산화막 두께가 2배 증가하면 포화영역에서의 드레인 전류는 어떻게 변하는가?
1
2배로 증가
2
4배로 증가
3
1/2로 감소
정답
4
1/4로 감소
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