태양광발전 시공신재생에너지발전설비기사 · 2020년06월06일 · 57/80
57.밴드갭 에너지는 반도체의 특성을 구분하는 매우 중요한 요소다. Si, GaAs, Ge를 밴드갭 에너지의 크기순으로 옳게 나열한 것은?
1
Si＞GaAs＞Ge
2
GaAs＞Ge＞Si
3
GaAs＞Si＞Ge정답
4
Ge＞GaAs＞Si
해설
반도체 밴드갭 에너지는 실온에서 Ge:0.66eV, Si:1.11eV, GaAs:1.43eV, GaP:2.25eV 입니다. 참고하세요.