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의용전자공학의공산업기사 · 2017년03월05일 · 24/100

24.실리콘 반도체로 만들어진 트랜지스터에서 각 공핍층의 전위장벽은 상온(25℃)에서 얼마인가?

1

약 0 V

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약 0.3 V

3

약 0.7 V정답

4

약 1 V

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