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2003년03월16일
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69번
물리전자공학
전자기사 · 2003년03월16일 · 69/100
69.
Si 결정에서의 전자 이동도는 T=300[K]에서 0.12[m2/Volt-sec] 이다. 상온에서 전자의 확산계수는? (단, 볼쯔만 상수 k=8.63×10-5[eV/K]이다.)
1
2.1×10-3[m2/sec]
2
2.5×10-5[m2/sec]
3
3.1×10-3[m2/sec]
정답
4
3.5×10-5[m2/sec]
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