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2004년09월05일
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79번
물리전자공학
전자기사 · 2004년09월05일 · 79/100
79.
진성반도체 Si가 300[°K]에서 저항율 636[Ωㆍm], 전자 및 정공의 이동도를 각각 0.25[m2/VㆍS], 0.15[m2/VㆍS]라 하면, 그 때의 전자 밀도는?(단, e=1.602×10-19[C])
1
약 4.9×1016[개/m3]
2
약 5.2×1015[개/m3]
3
약 4.2×1014[개/m3]
4
약 2.45×1016[개/m3]
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