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물리전자공학전자기사 · 2011년10월02일 · 67/100

67.Ge의 진성 캐리어 밀도는 상온에서 Si보다 높다. 그 이유에 대한 설명으로 가장 옳은 것은?(정답률:알수없음)

1

Ge의 에너지갭이 Si의 에너지갭보다 좁기 때문에정답

2

Si의 에너지갭이 Ge의 에너지갭보다 좁기 때문에

3

Ge이 캐리어 이동도가 Si보다 크기 때문에

4

Ge이 캐리어 이동도가 Si보다 작기 때문에

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