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물리전자공학전자기사 · 2018년04월28일 · 67/100

67.진성 반도체에서 Ge의 진성 캐리어 밀도는 상온에서 Si보다 높다. 그 이유의 설명으로 가장 적합한 것은?

1

Si의 에너지 갭이 Ge의 에너지 갭보다 좁기 때문이다.

2

Ge의 에너지 갭이 Si의 에너지 갭보다 좁기 때문이다.정답

3

Ge의 캐리어 이동도가 Si보다 작기 때문이다.

4

Ge의 캐리어 이동도가 Si보다 크기 때문이다.

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