공업화학화공기사(구) · 2020년06월06일 · 75/100
75.진성 반도체(intrinsic semiconductor)에 대한 설명 중 틀린 것은?
1
전자와 hole쌍에 의해서만 전도가 일어난다.
2
Fermi 준위가 band gap내의 valence band 부근에 형성된다.정답
3
결정 내에 불순물이나 결함이 거의 없는 화학양론적 도체를 이룬다.
4
낮은 온도에서는 부도체와 같지만 높은 온도에서는 도체와 같이 거동한다.
해설
진성 반도체는 순수한 반도체 물질로, n형 p형처럼 불순물 도핑 없이도 전도 특성을 갖는다. Band gap이란 에너지 영역 사이 비어있는 갭 공간을 말한다. Valence band ~ gap ~ Conduction band Fermi 준위란 전자의 에너지 기준점중 하나라고 생각하면 될것같다. 진성 반도체의 경우 이 준위의 중간이다. n형은 conduction band와 가깝고 p형은 Valence band와 가깝다.