반도체공학반도체설계산업기사(변경) · 2011년10월02일 · 5/80
5.MOSFET의 설명으로 거리가 먼 것은?
1
전력소모가 많은 트랜지스터이다.정답
2
VDS을 증가시키면 채널의 폭이 두꺼워져 드레인 lD가 증가한다.
3
드레인-소스간에 역방향 전압 VDS을 공급하면 드레인 전류 Ie가 흐른다.
4
게이트-소스간에 순방향 전입 VDS을 공급하면 드레인과 소스 사이에 채널이 형성된다.
5
MOSFET의 설명으로 거리가 먼 것은?(정답률:72%)
해설
BJT에 비해 전력소모가 적다.