반도체설계산업기사(변경) · 과목별 복습
반도체설계산업기사(변경) 반도체공학 기출문제
반도체공학에 분류된 여러 회차의 기출문제를 모았습니다. 먼저 답을 생각해 본 뒤 문제를 열어 정답과 제공되는 해설을 확인해 보세요.
보유 기출문제의 과목 분류를 기준으로 묶었습니다. 회차마다 출제 범위와 기준이 다를 수 있으니 각 문항의 회차를 함께 확인해 주세요.
전체 140문제
1–40번째 · 1/4페이지
PN 접합 다이오드에서 순방향 바이어스를 인가해주면 나타나는 현상에 대한 설명으로 옳은 것은?
문제·정답 확인 →반도체 재료에 전계를 가하면 정공의 드리프트(drift) 속도의 방향은?
문제·정답 확인 →MOSFET와의 설명으로 틀린 것은?
문제·정답 확인 →MOS 집적회로 공정에서 가장 소형화하기 어려운 소자는?
문제·정답 확인 →전류가 역방향 바이어스에 의해 차단되면 나타나는 현상으로 옳은 것은?
문제·정답 확인 →BJT 회로에서 출력전압과 입력전압이 거의 동위상이 되어 이미터 폴로어(emitter follower)라고도 부르는 회로는?
문제·정답 확인 →P형과 N형 반도체에서 다수 반송자(Carrier)를 옳게 나타낸 것은?
문제·정답 확인 →MOSFET 소자의 채널 폭과 길이가 짧아지면서 발생하는 단채널 효과(short channel effect)가 아닌 것은?
문제·정답 확인 →실리콘 잉곳이 1016 비소원자/cm3로 도핑되어 있을 때, 실온에서의 캐리어 농도는 얼마인가? (단, 진성 캐리어 밀도는 1.5×1010/cm3이다.)
문제·정답 확인 →- 2019년04월27일10번
Si(실리콘) 원소에 대한 설명 중 틀린 것은?
문제·정답 확인 → - 2019년04월27일11번
실리콘 공정에서 산화막에 대한 설명으로 틀린 것은?
문제·정답 확인 → - 2019년04월27일12번
도체에 1A의 전류가 흐를 때 1초 동안에 기준 단면적을 통과하는 전자의 개수는? (단, 전하의 전하량은 –1.6×10-19C)
문제·정답 확인 → - 2019년04월27일13번
쌍극성 접합 트랜지스터에 대한 설명 중 옳은 것은?
문제·정답 확인 → - 2019년04월27일14번
계단 접합인 PN 접합에서 P영역과 N영역의 불순물 밀도가 각각 1018cm-3, 1015cm-3 일 때, 상온에서의 접촉전위차는 얼마인가? (단, K·T/q = VT = 26mV 이고, 진성 캐리어의 농도 ni = 1.5×1010cm-3으로 가정)
문제·정답 확인 → - 2019년04월27일15번
부성저항 특성을 가지는 다이오드는?
문제·정답 확인 → - 2019년04월27일16번
PN 접합의 전압전류 특성에 대한 설명으로 옳은 것은?
문제·정답 확인 → - 2019년04월27일17번
순수(진성) 반도체에서 전자나 정공의 농도가 같다고 할 때 전도대의 준위 0.9eV, 가전자대의 준위가 1.6eV이면 순수 반도체의 에너지 갭은 몇 eV인가?
문제·정답 확인 → - 2019년04월27일18번
PN 접합 다이오드의 온도 특성에 대한 설명 중 옳은 것은?
문제·정답 확인 → - 2019년04월27일19번
바이폴라 트랜지스터에서 이미터 접합이 순바이어스 컬렉터 접합이 역바이어스인 경우에 동작하는 영역은?
문제·정답 확인 → - 2019년04월27일20번
디지털 집적회로에서 가장 일반적으로 사용되는 금속-절연체-반도체 구조를 갖는 트랜지스터는?
문제·정답 확인 → 빛을 받으면 전자와 정공 쌍생성을 통해 전류를 발생하는 다이오드는?
문제·정답 확인 →P형 기판을 갖는 MOS 용량 구조에서 게이트 금속 극판의 전압 VGS가 기판 전압 VBS 보다 큰 경우 VGS가 증가함에 따라 전계가 증가함으로써 실리콘 경계면에 전자가 모여 형성된 층은?
문제·정답 확인 →접합형 전계효과 트랜지스터(JFET: Junction Field Effect Transistor)의 동작은?
문제·정답 확인 →원소 주기율표에서 반도체 재료로 사용하지 않는 족은?
문제·정답 확인 →PN 접합 다이오드에서 역방향 바이어스 전압이 인가되었을 때 나타나는 현상과 관련이 없는 것은?
문제·정답 확인 →PN접합 다이오드에서 바이어스의 인가방법에 따른 전위장벽은?
문제·정답 확인 →FET의 차단 주파수에 영향을 주는 요소가 아닌 것은?
문제·정답 확인 →다음 중 전도대역의 전자와 가전자대역의 정공이 가전자상태에 있는 전자가 전도대역으로 천이되었을 때 발생되는 현상은?
문제·정답 확인 →평형 상태의 PN 접합에서 내부 전위장벽은?
문제·정답 확인 →- 2018년04월28일10번
P형 반도체의 정공이 1m3 당 4.4×1020[m-3]일 때, 반도체의 도전율은 얼마인가? (단, 정공의 이동도는 0.17[m2/V·s]이다.)
문제·정답 확인 → - 2018년04월28일11번
Si의 물리적 성질 중 해당되지 않는 것은?
문제·정답 확인 → - 2018년04월28일12번
반도체의 전기 전도도에 영향을 미치지 않는 것은?
문제·정답 확인 → - 2018년04월28일13번
컬렉터의 역바이어스를 계속해서 증가시키면 컬렉터 접합의 공간전하층이 베이스 영역 안으로 깊숙이 퍼져가며 마지막에는 이미터 접합의 공간 전하층과 닿게 되어 베이스 중성영역이 없어지는 현상은?
문제·정답 확인 → - 2018년04월28일14번
nMOS FET에서 게이트 전압을 높이면 드레인과 소스 사이에 전류 ID가 흐르기 시작한다. 이 시점의 게이트 전압을 무엇이라고 하는가?
문제·정답 확인 → - 2018년04월28일15번
전력 소자로서 쓰이는 정류기의 필요조건이 아닌 것은?
문제·정답 확인 → - 2018년04월28일16번
화합물 반도체 재료가 아닌 것은?
문제·정답 확인 → - 2018년04월28일17번
다음 반도체의 종류에 따른 다수캐리어와 소수캐리어에 관한 내용 중 옳은 것은?
문제·정답 확인 → - 2018년04월28일18번
쌍극성 접합 트랜지스터의 바람직한 조건이 아닌 것은?
문제·정답 확인 → - 2018년04월28일19번
PN 접합에서 공핍층의 두께는 역방향 바이어스전압(Vr)에 어떤 관계가 있는가?
문제·정답 확인 → - 2018년04월28일20번
NPN 바이폴라 트랜지스터의 3가지 영역을 불순물의 도핑 농도 크기가 큰 순서대로 나열한 것은?
문제·정답 확인 →