반도체설계산업기사(변경) · 과목별 복습
반도체설계산업기사(변경) 반도체공학 기출문제 · 3페이지
반도체공학에 분류된 여러 회차의 기출문제를 모았습니다. 먼저 답을 생각해 본 뒤 문제를 열어 정답과 제공되는 해설을 확인해 보세요.
보유 기출문제의 과목 분류를 기준으로 묶었습니다. 회차마다 출제 범위와 기준이 다를 수 있으니 각 문항의 회차를 함께 확인해 주세요.
전체 140문제
81–120번째 · 3/4페이지
원자번호 14인 Si 원자의 최외각(M각) 전자는 몇 개인가?
문제·정답 확인 →p형 반도체를 만드는 불순물이 아닌 것은?
문제·정답 확인 →전계효과 트랜지스터의 전극이 아닌 것은?
문제·정답 확인 →NPN 트랜지스터에서 베이스 영역의 소수 캐리어, 즉 전자의 이동 방법으로 가장 적합한 것은? (문제 오류로 정답이 정확하지 않습니다. 정답지를 찾지못하여 임의 정답 1번으로 설정하였습니다. 정답을 아시는 분께서는 오류 신고를 통하여 정답 입력 부탁 드립니다.)
문제·정답 확인 →일정한 온도 하에서 N형 반도체의 도너 불순물 농도를 증가시키면 페르미 준위는?
문제·정답 확인 →페르미 준위가Ef이고, 장벽 에너지를 Eb라고 할 때일 함수 ø는? (단, Eb: 장벽 에너지) (문제 오류로 정답이 정확하지 않습니다. 정답지를 찾지못하여 임의 정답 1번으로 설정하였습니다. 정답을 아시는 분께서는 오류 신고를 통하여 정답 입력 부탁 드립니다.)
문제·정답 확인 →바이어스를 인가한 증폭용 npn 트랜지스터의 컬렉터 접합면에 흐르는 주된 전류는?
문제·정답 확인 →PN 접합 제조 방법이 아닌 것은?
문제·정답 확인 →PN 접합의 두 가지 역방향 항복 기구의 조합으로 옳은 것은? (문제 오류로 정답이 정확하지 않습니다. 정답지를 찾지못하여 임의 정답 1번으로 설정하였습니다. 정답을 아시는 분께서는 오류 신고를 통하여 정답 입력 부탁 드립니다.)
문제·정답 확인 →- 2014년09월20일10번
디지털 집적회로에서 가장 일반적으로 사용되는 금속-절연체-반도체의 구조를 갖는 트랜지스터는?
문제·정답 확인 → - 2014년09월20일11번
P형과 N형 반도체에서 다수반송자(Carrier)를 옳게 나타 낸 것은?
문제·정답 확인 → - 2014년09월20일12번
PN 접합 다이오드의 전기적 특성인 정류 특성(rectification)이란?
문제·정답 확인 → - 2014년09월20일13번
이미터 접지 전류 증폭률이100일 때 베이스 접지 전류 증폭률은 약 얼마인가?
문제·정답 확인 → - 2014년09월20일14번
금속에 빛을 비추면 금속의 표면에서 전자가 튀어나오는 현상을 무엇인가?
문제·정답 확인 → - 2014년09월20일15번
전계에 의해 전자가 이동(drift)하게 되는데, 이 때의 평균 속도를 이동속도(drift velocity)라고 한다. 다음 중 이동속도를 나타내는 수식으로 옳은 것은? (단, μ는 이동도, E는 전계 세기)
문제·정답 확인 → - 2014년09월20일16번
역방향 바이어스 전압에 의해서 전류가 흐르는 다이오드로서 정전압 회로에 사용되는 것은?
문제·정답 확인 → - 2014년09월20일17번
실리콘(Si) 및 게르마늄(Ge)의 결합 구조는? (문제 오류로 정답이 정확하지 않습니다. 정답지를 찾지못하여 임의 정답 1번으로 설정하였습니다. 정답을 아시는 분께서는 오류 신고를 통하여 정답 입력 부탁 드립니다.)
문제·정답 확인 → - 2014년09월20일18번
전계효과 트랜지스터(Field Effect Transistor)의 특징으로 거리가 먼 것은?
문제·정답 확인 → - 2014년09월20일19번
PN 접합이 순방향 바이어스일 때 동작으로 옳은 것은?
문제·정답 확인 → - 2014년09월20일20번
어떤 금속과 반도체 사이에 형성된 전위장벽 또는 PN접합 정류기의 전하주입으로 인한 속도감소 요소를 제외한 정류기로서의 높고 두꺼운 장벽을 가리키는 용어는?
문제·정답 확인 → PN 접합의 전압-전류 특성에 대한 설명으로 옳은 것은?
문제·정답 확인 →PNP 트랜지스터가 활성영역에서 동작하는 경우는?
문제·정답 확인 →과대전류에 대한 보호용으로 사용되는 다이오드는?
문제·정답 확인 →반도체에서 전자가 원자의 속박으로부터 벗어나 전계에 의해 자유롭게 움직일 수 있는 에너지대는?
문제·정답 확인 →MOSFET의 설명으로 거리가 먼 것은?
문제·정답 확인 →다음 중 Si의 기본 격자구조로 올바른 것은?
문제·정답 확인 →NPN 바이폴리 트랜지스터의 3가지 영역을 분순물의 도핑농도 크기가 큰 순서대로 나열한 것은?
문제·정답 확인 →다음 중 n형 반도체를 만드는 불순물(Donor)이 아닌 것은?
문제·정답 확인 →PN 접합에서 공간전하용량에 영향을 주지 않는 것은?
문제·정답 확인 →- 2011년10월02일10번
다음 중 자유전자와 정공을 갖는 반도체에 전계를 가할 때 이들이 움직이는 방향으로 옳은 것은?
문제·정답 확인 → - 2011년10월02일11번
진성 반도체의 페르미(Fermi) 준위 위치는?
문제·정답 확인 → - 2011년10월02일12번
단결정의 제조방법으로 수소환원법, 열분해법, 불균등화 반응법, 진공열착법 등을 이용하는 것은?
문제·정답 확인 → - 2011년10월02일13번
PN 접합에 대한 설명으로 옳은 것은?
문제·정답 확인 → - 2011년10월02일14번
단순입방의 구조를 갖는 반도체 재료에서 1개의 단위 셀당 포함되는 원자의 개수는?
문제·정답 확인 → - 2011년10월02일15번
트랜지스터의 최대 정격에 대한 설명으로 옳은 것은?
문제·정답 확인 → - 2011년10월02일16번
반도체의 에너지 대역에서 금지대에 대한 설명으로 옳은 것은?
문제·정답 확인 → - 2011년10월02일17번
접합전계효과트랜지스터(JFET)에서 판치오프(Pinch-off) 전압이란?
문제·정답 확인 → - 2011년10월02일18번
n 채널 pn접합 전계효과 트랜지스터의 전압-전류 특성에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
문제·정답 확인 → - 2011년10월02일19번
PN 접합에서 전류가 “0” 일 때의 설명으로 가장 적합한 것은?
문제·정답 확인 → - 2011년10월02일20번
PN 접합에서 외부의 전계가 없는데도 전위장벽이 발생하는 이유는?
문제·정답 확인 →