반도체설계산업기사(변경) · 과목별 복습
반도체설계산업기사(변경) 반도체공학 기출문제 · 2페이지
반도체공학에 분류된 여러 회차의 기출문제를 모았습니다. 먼저 답을 생각해 본 뒤 문제를 열어 정답과 제공되는 해설을 확인해 보세요.
보유 기출문제의 과목 분류를 기준으로 묶었습니다. 회차마다 출제 범위와 기준이 다를 수 있으니 각 문항의 회차를 함께 확인해 주세요.
전체 140문제
41–80번째 · 2/4페이지
1s22s22p63s23p4로 원자가 배열이 되어 있다. 이 원소의 원자 번호는 어떻게 되는가?
문제·정답 확인 →실리콘 웨이퍼에 인(P) 원자를 2×1018m-3로 도핑 하였다. 열평형 상태에서 홀(hole)의 농도는? (단, ni = 1.5×1018m-3라 가정한다.)
문제·정답 확인 →베이스 공통 트랜지스터의 동작 상태를 4가지로 분류할 때 차단영역에 해당하는 것은?
문제·정답 확인 →제너다이오드에 대한 설명으로 옳은 것은?
문제·정답 확인 →반도체 재료의 성질이 아닌 것은?
문제·정답 확인 →실리콘 공정에서 산화막(SiO2)의 용도가 아닌 것은?
문제·정답 확인 →n형 실리콘 반도체를 만들려고 할 때, 사용할 수 없는 불순물 원자는?
문제·정답 확인 →공유결합에 관한 설명 중 틀린 것은?
문제·정답 확인 →반도체 재료의 결정을 표시함에 있어서 격자내의 면이나 방향을 표시하는데, 각 방향의 기본 벡터의 정수배로 나타낸 값의 비율을 역수로 나타내는 방법은?
문제·정답 확인 →- 2017년05월07일10번
MOSFET의 단자로 틀린 것은?
문제·정답 확인 → - 2017년05월07일11번
증가형 MOSFET의 문턱전압(threshold voltage, VT)에 대한 설명 중 옳은 것은?
문제·정답 확인 → - 2017년05월07일12번
반도체 재료에 전계를 인가함에 의해서 발생되는 전류를 무엇이라고 하는가?
문제·정답 확인 → - 2017년05월07일13번
pn접합에서 외부의 전계가 없는데도 전위장벽이 발생하는 이유는?
문제·정답 확인 → - 2017년05월07일14번
터널 다이오드에 관한 설명 중 틀린 것은?
문제·정답 확인 → - 2017년05월07일15번
다이오드에 바이어스를 인가할 때 P형에 양(+)전원을 N형에 음(-) 전원을 연결하는 방식은?
문제·정답 확인 → - 2017년05월07일16번
MOSFET과 JFET의 가장 큰 차이점은?
문제·정답 확인 → - 2017년05월07일17번
pn접합의 항복현상 중의 하나인 사태항복(avalanche breakdown)이 발생되는 경우는?
문제·정답 확인 → - 2017년05월07일18번
다음 실리콘의 원소 배열 표현이 맞는 것은?
문제·정답 확인 → - 2017년05월07일19번
다음 그림과 같은 소자와 관련하여 옳지 않은 것은?
문제·정답 확인 → - 2017년05월07일20번
pn접합에서 순방향 바이어스를 인가하였을 때 일어나는 현상은?
문제·정답 확인 → 과대전류에 대한 보호용으로 사용되는 다이오드는?
문제·정답 확인 →반도체 공정에서 산화막 공정의 목적과 거리가 먼 것은?
문제·정답 확인 →바이폴라 트랜지스터 존재하는 접합은?
문제·정답 확인 →바이폴라 트랜지스터에서 이미터-베이스 접합에 순방향 바이어스, 컬렉터-베이스 접합에 순방향 바이어스 전압을 걸었을 때의 트랜지스터의 동작 상태는?
문제·정답 확인 →반도체에서 전자가 원자의 속박으로부터 벗어나 전계에 의해 자유롭게 움직일 수 있는 에너지대는?
문제·정답 확인 →pn접합이 순방향 바이어스일 때 동작으로 옳은 것은?
문제·정답 확인 →에너지 밴드의 종류에 해당하지 않는 것은?
문제·정답 확인 →원자번호 14인 Si 원자의 최외각(M각) 전자는 몇 개인가?
문제·정답 확인 →실리콘 pn접합의 형태를 이루고 있으며, 역방향 직류 전원에서 동작하며, 역방향 항복에 이르면 전류가 급격히 변하여도 항복 전압은 거의 일정한 소자는?
문제·정답 확인 →- 2016년05월08일10번
단순입방의 구조를 갖는 반도체 재료에서 1개의 단위 셀당 포함되는 원자의 개수는?
문제·정답 확인 → - 2016년05월08일11번
pn접합에서 외부에 전계가 없는데도 전위장벽이 발생하는 이유는?
문제·정답 확인 → - 2016년05월08일12번
MOSFET의 커패시턴스 C는? (단, COX는 산화막 커패시턴스, CS는 공핍층 커패시턴스 이다.)
문제·정답 확인 → - 2016년05월08일13번
NPN트랜지스터 ICEO에 대한 설명으로 옳은 것은?
문제·정답 확인 → - 2016년05월08일14번
접합전계효과트랜지스터(JFET)에서 핀치-오프(Pinch-off) 전압이란? (단, 드레인 전류 ID, VGS = 0 V 인 상태이다.)
문제·정답 확인 → - 2016년05월08일15번
MOSFET의 설명으로 거리가 먼 것은?
문제·정답 확인 → - 2016년05월08일16번
pn접합에서 전류가 0 일 때의 설명으로 가장 적합한 것은?
문제·정답 확인 → - 2016년05월08일17번
pn접합의 공간 전하영역에 대한 설명으로 틀린 것은?
문제·정답 확인 → - 2016년05월08일18번
역방향 바이어스 전압에 의해서 전류가 흐르는 다이오드로서 정전압 회로에 사용되는 것은?
문제·정답 확인 → - 2016년05월08일19번
p형과 n형 반도체에서 다수 반송자(Carrier)를 옳게 나타낸 것은?
문제·정답 확인 → - 2016년05월08일20번
일정한 온도 하에서 n형 반도체의 도너 불순물 농도를 증가시키면 페르미 준위는?
문제·정답 확인 →