반도체설계산업기사(변경) · 과목별 복습
반도체설계산업기사(변경) 반도체공학 기출문제 · 4페이지
반도체공학에 분류된 여러 회차의 기출문제를 모았습니다. 먼저 답을 생각해 본 뒤 문제를 열어 정답과 제공되는 해설을 확인해 보세요.
보유 기출문제의 과목 분류를 기준으로 묶었습니다. 회차마다 출제 범위와 기준이 다를 수 있으니 각 문항의 회차를 함께 확인해 주세요.
전체 140문제
121–140번째 · 4/4페이지
다음 중 4가 원소가 아닌 것은?
문제·정답 확인 →JFET에서 게이트에 인가하는 역방향 바이어스의 크기를 크게 하여, 공핍층의 폭이 늘어나 채널이끊기게 되는 현상을 일컫는 용어는?
문제·정답 확인 →다음 중 FET에 있는 3 단자의 명칭이 아닌 것은?
문제·정답 확인 →PN 접합다이오드의 전기적특성인 정류특성(rectification)이란?
문제·정답 확인 →원자번호 14인 Si 원자의 최외각(M각) 전자는 몇 개인가?
문제·정답 확인 →실리콘(Si) NPN 바이폴라 트랜지스터의 순방향 바이어스된 베이스와 이미터 사이의 전압은 어느 정도인가?
문제·정답 확인 →열평형 상태의 PN 접합에서 캐리어 확산에 의해 전계가 생긴 영역을 일컫는 용어가 아닌 것은?
문제·정답 확인 →다음 다이오드 중 역방향 바이어스 항복 전압에 상관없이 정상적으로 동작하는 것은?
문제·정답 확인 →PN 접합의 전압-전류 특성에 대한 설명으로 옳은 것은?
문제·정답 확인 →- 2008년09월07일10번
PN 접합에 대한 설명으로 옳은 것은?
문제·정답 확인 → - 2008년09월07일11번
전계효과트랜지스터(FET)를 단극성 소자라 하는 이유는?
문제·정답 확인 → - 2008년09월07일12번
순수 반도체에서 전자나 정공의 농도가 같다고 할 때 전도대의 준위 0.9[eV], 가전자대의 준위가 1.6[eV]이면 순수반도체의 에너지 캡은?
문제·정답 확인 → - 2008년09월07일13번
다음 중 N형 반도체를 만들기 위해 필요한 도너(donor) 불순물은?
문제·정답 확인 → - 2008년09월07일14번
트랜지스터의 증폭계수 α와 β의 관계에서 α가 0.99인 트랜지스터의 β 값은?
문제·정답 확인 → - 2008년09월07일15번
P형과 N형 반도체에서 다수 반송자(Carrier)를 옳게 나타낸 것은?
문제·정답 확인 → - 2008년09월07일16번
다음 중 실리콘(Si) 및 게르마늄(Ge)의 결합 구조는?
문제·정답 확인 → - 2008년09월07일17번
단순입방의 구조를 갖는 반도체 재료에서 1개의 셀 당 포함되는 원자의 개수는?
문제·정답 확인 → - 2008년09월07일18번
NMOS FET(n channel MOSFETC NMOSFET)에서 게이트전압을 높이면 드레인과 소스 사이에 전류 ID가 흐르기 시작한다. ID가 흐르기 시작하는 시점의 게이트 전압을 무엇이라고 하는가?
문제·정답 확인 → - 2008년09월07일19번
반도체에서 전자가 원자의 속박으로부터 벗어나 전계에 의해 자유롭게 움직일 수 있는 에너지대는?
문제·정답 확인 → - 2008년09월07일20번
다음 표는 접지형 트랜지스터의 바이어스 방식에 따른 분류이다. ( ) 안에 해당하는 것은?
문제·정답 확인 →