9급 국가직 공무원 전자공학개론 · 과목별 복습
9급 국가직 공무원 전자공학개론 과목 구분 없음 기출문제 · 7페이지
과목 구분 없음에 분류된 여러 회차의 기출문제를 모았습니다. 먼저 답을 생각해 본 뒤 문제를 열어 정답과 제공되는 해설을 확인해 보세요.
보유 기출문제의 과목 분류를 기준으로 묶었습니다. 회차마다 출제 범위와 기준이 다를 수 있으니 각 문항의 회차를 함께 확인해 주세요.
전체 380문제
241–280번째 · 7/10페이지
반도체 도핑에 대한 설명으로 옳지 않은 것은? (단, 도핑된 불순물들은 모두 활성화되었다고 가정한다)
문제·정답 확인 →다음 4단자 회로망의 Y 파라미터 중 Y11, Y22의 값은? (단, Ya=2[℧], Yb=4[℧], Yc=6[℧]이다.) (순서대로 Y11[℧], Y22[℧])
문제·정답 확인 →버랙터(varactor) 다이오드에 대한 설명으로 옳은 것은?
문제·정답 확인 →음성신호의 대역제한 주파수를 4 [kHz]로 하고, 256개의 양자화 레벨을 사용하여 PCM 변조를 하고자 한다. 최대 샘플링 주기 Ts와, 이 때 디지털 신호의 비트율은? (순서대로 Ts[ms], 비트율[kbit/s])
문제·정답 확인 →다음 카르노맵(Karnaugh map)을 표현한 논리식으로 옳은 것은?
문제·정답 확인 →다음은 Op-Amp를 이용한 저대역통과필터이다. R1=1.2[kΩ], C1=0.02[㎌], RG=10{kΩ], RF=50[kΩ]일 때, DC 전압 이득과 차단주파수는? (단, π＝3.14이다) (순서대로 DC 전압이득, 차단주파수[kHz])
문제·정답 확인 →다음 회로의 전달함수 H(ω)의 특성을 나타낸 그래프로 가장 적절한 것은? (단, R1=R2=1[kΩ], C=10[㎌]이다)
문제·정답 확인 →다음 회로에 대한 설명으로 옳은 것은? (단, 다이오드는 이상적이며, τ=RC의 값은 충분히 크다)
문제·정답 확인 →전달함수 H(ω)의 크기와 위상이 다음 그림과 같은 필터가 있다. 이 필터의 입력이 일 때, 출력으로 옳은 것은?
문제·정답 확인 →- 2013년07월27일10번
<그림 1> 증폭기의 소신호 전압이득을 Av1=V2/V1로, <그림 1>의 증폭기 2개를 <그림 2>와 같이 연결하여 2단 증폭기를 구성하였을 때의 소신호 전압이득을 Av2V3/V1로 정의한다. Av1과 Av2에 가장 가까운 값은? (단, BJT는 활성영역에서 동작하고 gm=0.5[A/V], β=250, RB=200[kΩ
문제·정답 확인 → - 2013년07월27일11번
트랜지스터에 대한 설명으로 옳은 것은?
문제·정답 확인 → - 2013년07월27일12번
Vout=V2-V1의 관계를 갖는 회로를 이상적인 Op-Amp를 사용하여 옳게 구현한 것은? (단, 모든 저항의 크기는 동일하다)
문제·정답 확인 → - 2013년07월27일13번
다음 회로에서 Op-Amp가 이상적일 때, 출력전압Vout[V]은? (단, Vin=1[V], r1=R2=R3=R4=1[kΩ])
문제·정답 확인 → - 2013년07월27일14번
플립플롭을 사용하여 0에서 8까지의 숫자를 셀 수 있는 업－다운(up-down) 카운터를 설계하려고 할 때, 필요한 플립플롭의 최소 개수는?
문제·정답 확인 → - 2013년07월27일15번
다음 회로에서 출력 Y를 입력 A와 B의 함수로 구하면?
문제·정답 확인 → - 2013년07월27일16번
다음은 이상적인 Op-Amp를 사용한 반전증폭기 회로이다. 이 회로에서 기생 저항 Rpz1-가 존재하지 않을 경우 전압이득은 Vout/Vin=-10이다. 수십 킬로옴(kΩ)의 Rp가 존재할 때, 전압이득의 변화로 옳은 것은?
문제·정답 확인 → - 2013년07월27일17번
다음 논리회로 중 입력 A와 B가 같으면 1을 출력하고, 다르면 0을 출력하는 것은?
문제·정답 확인 → - 2013년07월27일18번
다음은 교류 입력 신호를 정류하는 회로들이다. 동일한 교류 입력에 대하여 출력 파형이 동일한 것은? (단, 다이오드는 이상적인 것으로 가정한다)
문제·정답 확인 → - 2013년07월27일19번
다음 발진기의 발진 조건 및 발진 주파수는? (순서대로 발진 조건, 발진 주파수)
문제·정답 확인 → - 2013년07월27일20번
다음 회로에서 다이오드 D1, D2의 상태로 옳은 것은? (단, 다이오드는 이상적이라고 가정한다) (순서대로 D1, D2)
문제·정답 확인 → 다음 카르노맵(Karnaugh map)을 간략화하여 나타낸 논리식은?
문제·정답 확인 →N형 MOSFET에 대한 설명으로 옳지 않은 것은? (단, MOSFET은 차단영역에 있지 않다고 가정한다)
문제·정답 확인 →테브난 정리를 이용하여 다음 회로를 단순화할 때, 테브난 전압(VTH)[V]과 테브난 저항(RTH)값[KΩ]은? (순서대로 VTH, RTH)
문제·정답 확인 →면적이 A인 평행한 두 금속판 사이의 거리가 d인 커패시터의 정전용량을 2배로 증가시키기 위한 방법으로 적절한 것은?
문제·정답 확인 →펄스코드변조(PCM)를 이용하여 1 KHz에서 최대 5 KHz 사이의 신호를 나이퀴스트율로 표본화하여 변조하려고 할 때, 각 표본이 24－레벨의 정밀도를 가지려면 펄스코드변조의 비트율 [Kbps]은?
문제·정답 확인 →다음 회로에서 입력전압(Vi)이 10V일 때, 20KΩ에 흐르는 전류값 IL [mA]은? (단, 회로에서 사용된 op-amp는 이상적인 동작특성을 갖는 것으로 가정한다)
문제·정답 확인 →다음 CMOS 회로는 입력단자 A, B, C, D에 5V(로직레벨 'H') 혹은 0 V(로직레벨 'L')의 전압이 인가되도록 구성하였다. 이 회로와 동일한 논리함수를 갖는 논리게이트는?
문제·정답 확인 →논리식 (A＋B)(A＋B')(A'＋B)(A'＋B')을 간단히 한 결과는?
문제·정답 확인 →발광다이오드(LED)에 대한 설명으로 옳지 않은 것으로만 묶인 것은?
문제·정답 확인 →- 2012년04월07일10번
다음 그림은 AM 변조된 DSB-LC(Double-Side-Band Large-Carrier) 파형이다. 변조 지수(modulation index)를 m이라 하고, 총 송신 전력 중 캐리어가 차지하는 전력의 비율을 R이라고 할 때, m과 R을 구하면? (단, 그림에서 캐리어 주파수는 신호보다 매우 높다고 가정한다) (순서
문제·정답 확인 → - 2012년04월07일11번
QAM(Quadrature Amplitude Modulation) 변조 방식에 대한 설명으로 가장 옳은 것은?
문제·정답 확인 → - 2012년04월07일12번
다음 발진기의 명칭은?
문제·정답 확인 → - 2012년04월07일13번
다음 회로에서 BJT의 β가 아주 클 때, VCE 값[V]에 가장 근접한 것은? (단, VBE＝0.7 V, IC≃IE 이다)
문제·정답 확인 → - 2012년04월07일14번
다음 회로에서 출력전압 Vo값[V]은? (단, 회로에서 사용된 다이오드는 이상적인 동작 특성을 갖는 것으로 가정한다)
문제·정답 확인 → - 2012년04월07일15번
다음 [그림 A]의 정현파를 [그림 B]의 구형파로 변환시키는데 가장 적합한 회로는?
문제·정답 확인 → - 2012년04월07일16번
다음 회로에서 입력전압 V2가 －1V 일 때, 출력전압 VO값[V]은? (단, 회로에서 사용된 op-amp와 다이오드는 이상적인 동작 특성을 갖는 것으로 가정한다)
문제·정답 확인 → - 2012년04월07일17번
D-F/F을 사용한 다음 회로에서 IN에 "H"→"H"→"L"→"L"→"H"→"H"의 논리값이 순차적으로 입력되면 OUT의 상태가 순차적으로 어떻게 변하는가? (단, OUT1, OUT2, OUT3, OUT4 노드들의 초기값은 모두 "L"이며, IN에 입력되는 논리값 시간 간격은 CLK 신호주기와 같다고 가정한다)
문제·정답 확인 → - 2012년04월07일18번
다음회로에서출력전압Vo 값[V]은? (단, RA＝4KΩ, RB＝8KΩ 이다)
문제·정답 확인 → - 2012년04월07일19번
다음 회로의 출력전압 Vo값[V]은? (단, 회로에서 사용된 op-amp는 이상적인 동작 특성을 갖는 것으로 가정한다)
문제·정답 확인 → - 2012년04월07일20번
다음 신호증폭용 바이폴라 트랜지스터(BJT)의 고정 바이어스 회로에서, 베이스－콜렉터간 전압값(VBC)이 －6 V가 되기 위한 바이어스 저항 RC의 값[KΩ]은? (단, BJT의 β＝100, VBE＝0.7V, RB＝200 KΩ, C1＝C2＝10㎌, VCC＝10.7 V 이다)
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