과목구분없음수능(국어영역) · 2013년06월05일 · 20/45
20.윗글의 ‘플래시 메모리’에 대하여 추론한 내용으로 옳은 것은?(19번 공통지문 문제)(정답률:알수없음)
1
D에 3V의 양의 전압을 가하면 플로팅 게이트의 전자가 사라진다.
2
터널 절연체 대신에 일반 절연체를 사용하면 데이터를 반복해서 지우고 쓸 수 없다.정답
3
데이터 지우기 과정에서 자외선에 노출해야 데이터를 수정할 수 있다.
4
EEPROM과 비교되는 EPROM의 단점을 개선하여 셀 면적을 더 작게 만들었다.
5
데이터를 유지하기 위해서는 전력을 계속 공급해 주어야 한다.
해설
글의 내용 재구성 [정답해설] 3문단의 마지막 부분에 ‘터널 절연체는 전류의 흐름을 항상 차단하는 일반 절연체와는 다르게 일정 이상의 전압이 가해졌을 때는 전자를 통과시킨다.’라고 설명하고 있다. 그러므로 일반 절연체를 사용했을 경우 전류의 흐름을 항상 차단하기 때문에 플로팅 게이트에 전자를 채우거나 비우는 작업, 즉 데이터를 쓰거나 지우는 작업을 할 수 없게 된다. [오답피하기] ① 2문단에서 설명한 것과 같이 D에 3V의 전압을 가하는 것은 플로팅 게이트에 전자 유무를 확인하기(데이터 읽기) 위한 것이다. 플로팅 게이트에 전자가 있으면 전류가 흐르지 않고, 전자가 없으면 흐르는 것이지 전자를 사라지게 하는 것은 아니다. ③ 데이터 지우기 과정에서 자외선에 칩을 노출시켜야 하는 것은 5문단에서 설명하고 있는 EPROM에 대한 설명이다. 플래시 메모리는 이런 문제점을 개선한 것이다. ④ 5문단에서 EEPROM은 셀 하나당 두 개의 트랜지스터가 필요한 반면 EPROM은 한 개의 트랜지스터가 필요하다고 하였으므로 셀 면적을 작게 만들 수 있는 것은 EPROM이다. ⑤ 5문단에서 ‘전원을 꺼도 1이나 0의 상태가 유지되므로 비휘발성 메모리이다.’라고 설명하고 있다. [수능 해설 출처 : EBS]