21.윗글과 <보기>에 따라 플래시 메모리의 데이터 < 1 0 >을 < 0 1 >로 수정하려고 할 때, 단계별로 전압이 가해질 위치가 옳은 것은? (순서대로 1단계, 2단계) [3점](19번 공통지문 문제)(정답률:알수없음)

해설

구체적 상황에 적용하기 [정답해설] 3문단과 4문단에서 설명하듯 데이터의 저장은 두 단계를 거쳐 이루어진다. 1단계에서는 데이터를 지워야 하는데, 이때는 블록에 포함된 모든 셀마다 G에 0V, p형 반도체에 20V의 전압을 가한다. <보기>에서 ㉠과 ㉡에 20V의 전압을 걸어주는 것이다. 2단계로 데이터를 저장하려면 1을 쓰려는 셀의 G에 20V, p형 반도체에 0V의 전압을 가한다. <보기>에서 ㉣에 20V의 전압을 걸어 주는 것이다. [오답피하기] ① p형 반도체에 20V의 전압을 걸면 플로팅 게이트의 전자가 p형 반도체로 이동하고, G에 20V의 전압을 걸면 p형 반도체에 있던 전자가 플로팅 게이트로 이동하게 된다. 그러므로 1을 0으로 만들고, 0을 1로 만들기 위해 1단계에 ㉠과 2단계에 ㉣에 전압을 걸어 준다고 생각할 수도 있다. 그러나 3문단에서 ‘데이터 지우기는 여러 개의 셀이 연결된 블록 단위로 이루어진다.’라고 설명하고 있다. 즉 블록에 포함된 모든 셀을 0으로 만들고 난 뒤 쓰기를 하기 때문에 이는 적절하지 않다. [수능 해설 출처 : EBS]