반도체설계산업기사(변경) · 과목별 복습
반도체설계산업기사(변경) 집적회로 설계이론 기출문제 · 4페이지
집적회로 설계이론에 분류된 여러 회차의 기출문제를 모았습니다. 먼저 답을 생각해 본 뒤 문제를 열어 정답과 제공되는 해설을 확인해 보세요.
보유 기출문제의 과목 분류를 기준으로 묶었습니다. 회차마다 출제 범위와 기준이 다를 수 있으니 각 문항의 회차를 함께 확인해 주세요.
전체 140문제
121–140번째 · 4/4페이지
- 2008년09월07일61번
게이트 전압(VG)이 기판 전압(VB)보다 낮은 전위를 갖는 경우, MOS 구조의 동작 모드는?
문제·정답 확인 → - 2008년09월07일62번
실제의 IC 소자들이 가지고 있는 지연 시간을 고려한 시뮬레이션 방법으로 특히, 여러 단이 종속적(cascade)으로 연결되었을 경우 최종 출력에서 발생하는 spike나 glitch 등을 방지하기 위한 방법은?
문제·정답 확인 → - 2008년09월07일63번
다음 CMOS 공정 중에서 가장 먼저 하는 공정은?
문제·정답 확인 → - 2008년09월07일64번
다음 중 레이아웃 할 때 배선에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
문제·정답 확인 → - 2008년09월07일65번
MOS 논리회로의 특성 중 옳지 않은 것은?
문제·정답 확인 → - 2008년09월07일66번
N채널 증가형 MOSFET에서 드레인 전류를 흐르게 하려면 게이트 전압을 어떻게 해야 하는가?
문제·정답 확인 → - 2008년09월07일67번
VLSI 설계에서 강조되는 구조적 설계 원칙이 아닌 것은?
문제·정답 확인 → - 2008년09월07일68번
CMOS 제조 과정에서는 nMOS와 pMOS 트랜지스터를 만들 때 생기는 n 층과 p 층간의 결합(n-p-n-p 또는 p-n-p-n)에 의해 기생 트랜지스터가 구성되는데, 이 기생 트랜지스터가 결합되어 Vdd와 Vss 사이에 전류 통로가 형성되는 현상을 무엇이라 하는가?
문제·정답 확인 → - 2008년09월07일69번
다음 중 Integrated Circuit(IC)에 포함시키기가어려운 소자는?
문제·정답 확인 → - 2008년09월07일70번
결정 내의 스트레인과 결함을 줄이고, 단결정의 성장을 촉진시키기 위해 웨이퍼를 일정시간 온도가 높은 곳에서 의도적으로 넣어두는 것을 무엇이라 하는가?
문제·정답 확인 → - 2008년09월07일71번
다음 중 CMOS NAND 게이트의 구조에 대한 설명으로 옳은 것은?
문제·정답 확인 → - 2008년09월07일72번
2개 변수와 그 기능이 바르게 연결되지 않은 것은?
문제·정답 확인 → - 2008년09월07일73번
다음 모노리틱(Monolithic) IC의 제조과정 중 제일 마지막에 수행하는 공정은?
문제·정답 확인 → - 2008년09월07일74번
다음 중 VLSI 제작 과정이 옳은 것은?
문제·정답 확인 → - 2008년09월07일75번
베이스 폭이 3×10-3[cm] 일 때 펀치-슬로 전압Vpt가 7[V]인 PNP 트랜지스터에서 베이스 폭이 6×10-3[cm]으로 증가하면 Vpt는 얼마인가?
문제·정답 확인 → - 2008년09월07일76번
다음 사진 식각 공정을 이용한 산화막 식각 공정을 올바른 순서를 나열한 것은?
문제·정답 확인 → - 2008년09월07일77번
집적회로 구현을 위한 웨이퍼 제조 공정에 해당하지 않은 것은?
문제·정답 확인 → - 2008년09월07일78번
MOS 구조의 전계효과 중 게이트 전압 VG가 크게 증가하면 전계의 증가에 의해 산화층과 실리콘의 경계 면에 소수 캐리어인 전자가 모이는 현상은?
문제·정답 확인 → - 2008년09월07일79번
CMOS domino 로직회로를 사용할 때의 특성에 해당되지 않는 것은?
문제·정답 확인 → - 2008년09월07일80번
CMOS 디저털 집적회로의 동적 전력소모에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?
문제·정답 확인 →