전자기사 · 과목별 복습
전자기사 물리전자공학 기출문제 · 24페이지
물리전자공학에 분류된 여러 회차의 기출문제를 모았습니다. 먼저 답을 생각해 본 뒤 문제를 열어 정답과 제공되는 해설을 확인해 보세요.
보유 기출문제의 과목 분류를 기준으로 묶었습니다. 회차마다 출제 범위와 기준이 다를 수 있으니 각 문항의 회차를 함께 확인해 주세요.
전체 1,040문제
921–960번째 · 24/26페이지
- 2005년05월29일61번
1[coulomb]의 전하를 얻을려면 전자는 몇 개가 필요한가? (단, e=1.602⒡10-19[C])(정답률:알수없음)
문제·정답 확인 → - 2005년05월29일62번
파울리(Pauli)의 배타 원리가 적용되는 통계 방식의 종류는?(정답률:알수없음)
문제·정답 확인 → - 2005년05월29일63번
Bragg의 반사 조건을 나타내는 식은?(정답률:알수없음)
문제·정답 확인 → - 2005년05월29일64번
인공위성 등에 사용되는 태양전지는 반도체의 무슨 현상을 이용한 것인가?(정답률:알수없음)
문제·정답 확인 → - 2005년05월29일65번
PN 접합시 순방향으로 바이어스 되었을 때의 설명 중 옳은 것은?(정답률:알수없음)
문제·정답 확인 → - 2005년05월29일66번
에너지 준위도에서 0 준위는?(정답률:알수없음)
문제·정답 확인 → - 2005년05월29일67번
FET를 단극성 소자라고 하는 이유는?(정답률:알수없음)
문제·정답 확인 → - 2005년05월29일68번
컬렉터 접합부의 온도 상승으로 트랜지스터가 파괴되는 현상은?(정답률:알수없음)
문제·정답 확인 → - 2005년05월29일69번
반도체에서의 확산전류 밀도 J 는? (단, n 은 캐리어의 농도, q 는 캐리어의 전하, D 는 확산 정수, x 는 거리이며, 1차원적인 구조의 경우를 생각한다.)(정답률:알수없음)
문제·정답 확인 → - 2005년05월29일70번
열전자 방출용 재료로 적합하지 않은 것은?(정답률:알수없음)
문제·정답 확인 → - 2005년05월29일71번
진성반도체 Si의 300[K]에서의 저항율을 636[Ω·m], 전자 및 정공의 이동도를 각각 0.15[m2/VΧsec], 0.05[m2/VΧsec]이라고 하면 그때의 전자 밀도는 약 얼마인가?(정답률:알수없음)
문제·정답 확인 → - 2005년05월29일72번
Fermi 에너지에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?(정답률:알수없음)
문제·정답 확인 → - 2005년05월29일73번
바랙터(varactor) 다이오드는 어떠한 양(量)들 사이의 비직선적 관계를 이용하는 소자인가?(정답률:알수없음)
문제·정답 확인 → - 2005년05월29일74번
고주파 특성이 좋은 트랜지스터를 만들기 위한 조건 중 옳지 않은 것은?(정답률:알수없음)
문제·정답 확인 → - 2005년05월29일75번
Fermi-Dirac 분포 함수는?(정답률:알수없음)
문제·정답 확인 → - 2005년05월29일76번
반도체에서 아인시타인(Einstein)의 관계식은 확산 계수와 무엇과의 관계를 나타내는 것인가?(정답률:알수없음)
문제·정답 확인 → - 2005년05월29일77번
서미스터(thermistor)의 재료가 될 수 없는 것은?(정답률:알수없음)
문제·정답 확인 → - 2005년05월29일78번
열음극을 갖는 것은?(정답률:알수없음)
문제·정답 확인 → - 2005년05월29일79번
길이 10㎜, 이동도 0.16[m2/Vㆍsec]인 N형 Si의 양단에 전압 10[V]을 가했을 때 전자의 속도는?(정답률:알수없음)
문제·정답 확인 → - 2005년05월29일80번
피에조 저항(piezo resistance)은?(정답률:알수없음)
문제·정답 확인 → - 2004년09월05일61번
베이스 접지전류 증폭율이 0.98일 때 이미터 접지 전류 증폭율은?(정답률:알수없음)
문제·정답 확인 → - 2004년09월05일62번
반도체(Semiconductors)에 관한 설명 중 서로 옳지 않은 것은?(정답률:알수없음)
문제·정답 확인 → - 2004년09월05일63번
캐리어의 확산 거리에 대한 설명으로 옳은 것은?(정답률:알수없음)
문제·정답 확인 → - 2004년09월05일64번
P형 불순물 반도체에서 전자의 농도를 나타낸 것은?(단, Na는 억셉터의 농도, ηi는 진성반도체에서 캐리어의 농도)(정답률:알수없음)
문제·정답 확인 → - 2004년09월05일65번
다음 설명 중 옳지 않은 것은?
문제·정답 확인 → - 2004년09월05일66번
반도체의 특성에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?(정답률:알수없음)
문제·정답 확인 → - 2004년09월05일67번
Pauli의 배타율 원리를 만족하는 분포 함수는?(정답률:알수없음)
문제·정답 확인 → - 2004년09월05일68번
사이리스터(thyristor)의 설명 중 옳지 않은 것은?(정답률:알수없음)
문제·정답 확인 → - 2004년09월05일69번
진성반도체에 있어서 전도대의 전자밀도 n은 에너지gap Eg의 크기에 따라 변한다. 다음 중 옳은 것은?(정답률:알수없음)
문제·정답 확인 → - 2004년09월05일70번
순수 반도체에서 온도가 상승하면?(정답률:알수없음)
문제·정답 확인 → - 2004년09월05일71번
과대 전류에 대한 보호용으로 사용되는 다이오드는?(정답률:알수없음)
문제·정답 확인 → - 2004년09월05일72번
에피텍셜(epitaxial) 성장이란?(정답률:알수없음)
문제·정답 확인 → - 2004년09월05일73번
진공속의 텅스텐(W) 표면에서 전자 1개가 방출하는데 최소한 몇 Joule의 에너지를 필요로 하는가? (단, 텅스텐의 일함수는 4.52[eV]이다.)(정답률:알수없음)
문제·정답 확인 → - 2004년09월05일74번
다음은 드브로이(de Broglie) 전자파의 파장 λ 를 나타내는 관계식이다. h에 가장 합당한 것은?(정답률:알수없음)
문제·정답 확인 → - 2004년09월05일75번
트랜지스터의 평형 상태에 대한 설명으로 옳지않은 것은?(정답률:알수없음)
문제·정답 확인 → - 2004년09월05일76번
2중 베이스 다이오드(double base diode)는?(정답률:알수없음)
문제·정답 확인 → - 2004년09월05일77번
어떤 도체의 단면을 1[A]의 전류가 흐를 때 이 단면을 0.01초 동안에 통과하는 전자수는? (단, 전자의 전하량 e=1.6×10-19[C]이다.)(정답률:알수없음)
문제·정답 확인 → - 2004년09월05일78번
빛의 파동성을 입증할 수 있는 근거는?(정답률:알수없음)
문제·정답 확인 → - 2004년09월05일79번
진성반도체 Si가 300[°K]에서 저항율 636[Ωㆍm], 전자 및 정공의 이동도를 각각 0.25[m2/VㆍS], 0.15[m2/VㆍS]라 하면, 그 때의 전자 밀도는?(단, e=1.602×10-19[C])
문제·정답 확인 → - 2004년09월05일80번
평행판 A, B 사이의 거리가 1[cm]이며, 판 B에 대한 판 A의 전위는 +100[V]이다. 초기속도 0으로 판 B를 출발한 전자가 판 A에 도달하는데 걸리는 시간은 몇 [sec]인가?(정답률:알수없음)
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