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전자기사 · 과목별 복습

전자기사 물리전자공학 기출문제 · 25페이지

물리전자공학에 분류된 여러 회차의 기출문제를 모았습니다. 먼저 답을 생각해 본 뒤 문제를 열어 정답과 제공되는 해설을 확인해 보세요.

보유 기출문제의 과목 분류를 기준으로 묶었습니다. 회차마다 출제 범위와 기준이 다를 수 있으니 각 문항의 회차를 함께 확인해 주세요.

전체 1,040문제

961–1000번째 · 25/26페이지

  1. 실리콘 단결정 반도체에서 N형 불순물로 사용될 수 있는 것은?(정답률:알수없음)

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  2. 어느 광전 음극의 한계 파장 λ0가 5700[A]이라 한다. 이 광전 음극의 일 함수는 약 몇 V인가?(정답률:알수없음)

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  3. α 차단 주파수가 10㎒인 트랜지스터에서 이것을 이미터 접지로 사용할 경우 β차단 주파수는 약 몇 ㎑인가? (단, α =0.98이다.)(정답률:알수없음)

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  4. 금속 표면에 빛을 조사하면 금속 내의 전자가 방출하는 현상은?(정답률:알수없음)

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  5. 트랜지스터의 안정도(stability factor)는?(정답률:알수없음)

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  6. 트랜지스터에서 발생하는 잡음이 아닌 것은?(정답률:알수없음)

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  7. 트랜지스터 증폭기에서 부하 저항이 클수록 전류 이득은?(정답률:알수없음)

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  8. 2종의 금속을 접속하고 직류를 흘리면 그 접합부에 온도 차이가 생기는 효과는?(정답률:알수없음)

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  9. Fermi-Dirac의 분포 함수는? (단,E는 에너지준위,α ,β 는 Lagrangean multiplier 이다.)(정답률:알수없음)

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  10. 전자볼트(electron volt, eV)는 전자 한 개가 1볼트의 전위차를 통과할 때 얻는 운동 에너지를 1[eV]로 정한 것이다. 1[eV]는 대략 몇 J(joule)인가?(정답률:알수없음)

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  11. n채널 전계 효과 트랜지스터(Field Effect Transister)에 흐르는 전류는 주로 어느 현상에 의한 것인가?(정답률:알수없음)

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  12. 정자계내에서 자계와 수직이 아닌 임의의 각도로 운동 하는 전자의 궤도는?(정답률:알수없음)

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  13. 전자가 광속도로 운동을 할 때, 이 전자의 질량은?(정답률:알수없음)

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  14. n채널 J-FET와 그 특성이 비슷한 진공관은?(정답률:알수없음)

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  15. 반도체에 대한 설명 중 옳은 것은?(정답률:알수없음)

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  16. 터널 다이오드(tunnel diode)의 특징 중 옳지 않은 것은?(정답률:알수없음)

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  17. 확산 정수 D, 이동도 μ , 절대 온도 T 간의 관계식을 옳게 나타낸 것은?(정답률:알수없음)

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  18. 온도가 상승하면 불순물 반도체의 페르미 준위는?(정답률:알수없음)

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  19. 300[eV]로 가속된 전자가 0.01[Wb/m2]인 균등한 자계중에 자계의 방향과 60° 의 각도를 이루며 사출되었다. 전자가 그리는 궤도의 직경은? (단, 전자의 전하 e = 1.602×10-19[coul], 전자의 질량 m = 9.106×10-31[㎏]이다.)(정답률:알수없음)

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  20. Ge의 진성 캐리어 밀도는 상온에서 Si보다 높다. 그 이유의 설명으로 가장 옳은 것은?(정답률:알수없음)

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  21. 주양자수 n이 3인 전자각 M에 들어갈 수 있는 최대 전자수는?(정답률:알수없음)

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  22. 낮은 전압에서는 큰 저항을 나타내며, 높은 전압에서는 작은 저항값을 갖는 소자는?(정답률:알수없음)

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  23. Fermi-Dirac 분포 함수는?(정답률:알수없음)

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  24. JFET의 핀치오프 전압에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?(정답률:알수없음)

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  25. 절대온도 0[°K]에서 진성 반도체의 모든 가전자는?(정답률:알수없음)

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  26. 일 함수(work function)의 설명 중 옳지 않은 것은?(정답률:알수없음)

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  27. 반도체에 전장을 가하면 전자는 어떤 운동을 하는가?(정답률:알수없음)

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  28. 전계의 세기 E = 105[V/m]의 평등 전계 중에 놓인 전자에 가해지는 전자의 가속도는 약 얼마인가?(정답률:알수없음)

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  29. 부성(負性) 저항의 특성이 가장 현저하게 나타나는 것은?(정답률:알수없음)

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  30. 실리콘이 정제하기 어려운 이유는?(정답률:알수없음)

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  31. 기압 1[mmHg] 정도의 글로우 방전(glow discharge)에서 생기는 관내 발광 부분이 아닌 것은?(정답률:알수없음)

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  32. 진성 반도체에서 온도가 상승하면 페르미 준위는?(정답률:알수없음)

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  33. 진성반도체 Si의 300[K]에서의 저항율을 636[Ωㆍm],전자 및 정공의 이동도를 각각 0.15[m2/Vㆍsec], 0.05[m2/Vㆍsec] 이라고 하면 그때의 전자 밀도는 약 얼마인가?(정답률:알수없음)

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  34. 접합 트랜지스터에서 주입된 과잉 소수 캐리어는 베이스 영역을 어떤 방법에 의해서 흐르는가?(정답률:알수없음)

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  35. 물질의 구성과 관계없는 요소는?(정답률:알수없음)

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  36. 컬렉터 접합부의 온도 상승으로 트랜지스터가 파괴되는 현상은?(정답률:알수없음)

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  37. 두 도체 또는 반도체의 폐회로에서 두 접합점의 온도차로서 전류가 생기는 현상은?(정답률:알수없음)

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  38. 균일 자계 B에 자계와 직각 방향으로 속도 V를 갖고 입사한 전자의 각속도는? (단, 전자의 질량을 m, 전하량은 q)(정답률:알수없음)

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  39. 전자 방출에 관한 설명 중 옳지 않은 것은?(정답률:알수없음)

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  40. 터널 다이오드(Tunnel Diode)에서 터넬링(Tunnelling)은 언제 발생하는가?(정답률:알수없음)

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