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전자기사 · 과목별 복습

전자기사 물리전자공학 기출문제 · 26페이지

물리전자공학에 분류된 여러 회차의 기출문제를 모았습니다. 먼저 답을 생각해 본 뒤 문제를 열어 정답과 제공되는 해설을 확인해 보세요.

보유 기출문제의 과목 분류를 기준으로 묶었습니다. 회차마다 출제 범위와 기준이 다를 수 있으니 각 문항의 회차를 함께 확인해 주세요.

전체 1,040문제

1001–1040번째 · 26/26페이지

  1. 500[V] 전압으로 가속된 전자의 속도는 10[V]의 전압으로 가속된 전자 속도의 몇 배인가?(정답률:알수없음)

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  2. 서미스터(thermistor) 용도로 옳지 않은 것은?(정답률:알수없음)

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  3. 1[coulomb]의 전하를 얻을려면 전자는 몇 개가 필요한가? (단, e=1.602×10-19[C])(정답률:알수없음)

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  4. 전자의 운동량(P)와 파장(λ ) 사이의 드브로이(DeBroglie) 관계식은?(단, h는 Plank 상수)(정답률:알수없음)

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  5. 정공의 확산 계수 Dp=55[cm2/sec]이고, 정공의 평균 수명τP=10-6[sec]일 때의 확산 길이는 약 얼마인가?(정답률:알수없음)

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  6. 펀치 스루(punch through) 현상에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?(정답률:알수없음)

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  7. CCD(Charge-coupled device)의 동작 원리와 가장 유사한 동작 원리의 전자 소자는?(정답률:알수없음)

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  8. 모노리딕 IC의 장점이 아닌 것은?(정답률:알수없음)

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  9. 마치 3극관이 음극에서 양극에 향하는 전자류를 격자에 의하여 제어하듯이 N형(또는 P형) 반도체 내의 전자(정공)의 흐름을 제어하는 것은?

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  10. 스위칭 시간이 대단히 짧으므로 고속 스위칭 회로에 사용되는 소자는?(정답률:알수없음)

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  11. 열전자 방출용 재료로 적합하지 않은 것은?(정답률:알수없음)

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  12. 에너지 준위도에서 0 준위는?(정답률:알수없음)

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  13. 열전자 방출에서 전자류가 온도 제한 영역에 있어서도 플레이트 전위의 상승에 의해 더욱 증가하는 현상은?

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  14. 2차 전자 방출의 영향을 특히 억제토록 설계된 것은?(정답률:알수없음)

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  15. Fermi 에너지에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?(정답률:알수없음)

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  16. 두 도체 또는 반도체의 폐 회로에서 두 접합점의 온도차로서 전류가 생기는 현상은?(정답률:알수없음)

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  17. 저온에서 반도체 내의 캐리어(carrier) 에너지 분포를 나타내는데 가장 적절한 것은?(정답률:알수없음)

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  18. P형 불순물 반도체에서 전자의 농도를 나타낸 것은?(단, Na는 억셉터의 농도, ηi는 진성반도체에서 캐리어의 농도)(정답률:알수없음)

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  19. 진성 반도체에서 온도가 상승하면?(정답률:알수없음)

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  20. 피에조 저항(piezo resistance)은?(정답률:알수없음)

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  21. 발광 다이오드(LED)에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?

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  22. 열평형 상태에 있는 반도체에서 정공(正孔)밀도 P와 전자 밀도 n을 곱한 pn적에 관한 설명 중 옳은 것은?

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  23. 정지하고 있는 전자를 V[V]의 전위차로 가속 시킬 때의 속도를 구하는 식은?

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  24. 전자 볼트(electron volt)에 대한 설명으로 옳은 것은?

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  25. 다음의 방전 중에서 비교적 낮은 전압 강하로 큰 전류를 얻는 것은?

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  26. 진성 반도체에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?

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  27. 고주파 특성이 좋은 트랜지스터를 만들기 위한 조건 중 옳지 않은 것은?

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  28. 금속체 내에 있는 전자가 표면장벽을 넘어서 금속 밖으로 방출되기 위하여 필요한 최소의 에너지를 가르키는 것은?

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  29. Si 결정에서의 전자 이동도는 T=300[K]에서 0.12[m2/Volt-sec] 이다. 상온에서 전자의 확산계수는? (단, 볼쯔만 상수 k=8.63×10-5[eV/K]이다.)

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  30. 열전자 방출에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

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  31. 2중 베이스 다이오드라고도 불리어지는 소자는?

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  32. 바랙터(varactor) 다이오드는 어떠한 양(量)들 사이의 비직선적 관계를 이용하는 소자인가?

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  33. 절대온도 00K 에서 진성 반도체는 어느 것과 같은가?

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  34. 300[° K]에서 페르미 준위보다 0.1[eV]만큼 낮은 에너지 준위에 전자가 점유하는 확률은?

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  35. 드브로이(de Broglie) 물질파의 개념에서 볼 때 전자파의 파장이 무한대일 경우 전자의 상태는?

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  36. 전자 수가 32인 원자의 가전자 수는?

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  37. 다음 레이저(LASER)에 관한 설명 중 옳지 않은 것은?

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  38. PN 접합 다이오드의 용량에는 확산용량 Cd와 접합용량 Ct가 있다. 다음 중 옳은 것은?

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  39. 온도가 상승하면 N형 반도체의 Fermi 준위는 어디에 위치하게 되는가?

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  40. Pn 접합 다이오드에 역바이어스 전압을 인가 할 때 나타나는 현상을 바르게 설명한 것은?(단, 브레이크다운 전압(breakdown voltage) 보다는 낮은 범위이다.)

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