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전자기사 · 과목별 복습

전자기사 물리전자공학 기출문제 · 9페이지

물리전자공학에 분류된 여러 회차의 기출문제를 모았습니다. 먼저 답을 생각해 본 뒤 문제를 열어 정답과 제공되는 해설을 확인해 보세요.

보유 기출문제의 과목 분류를 기준으로 묶었습니다. 회차마다 출제 범위와 기준이 다를 수 있으니 각 문항의 회차를 함께 확인해 주세요.

전체 1,040문제

321–360번째 · 9/26페이지

  1. 다음 중 에피택셜(epitaxial) 성장이란?

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  2. 전자의 운동방향과 균일한 자계(B)가 서로 수직한 경우 전자의 운동 방경 r은? (단, 전자의 전하 e, 속도 v, 질량 m이다.)

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  3. 접합 트랜지스터를 실제로 응용하기 위한 요구조건이 아닌 것은?

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  4. 반도체의 특성에 대한 설명으로 틀린 것은?

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  5. Na 금속의 한계 주파수가 4.35×1014[Hz]이다. 이 금속의 일함수는? (단, plank 상수는 6.625×10-34[Jㆍsec], 전자의 전하 e=1.602×10-19[C])

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  6. Fermi-Dirac 분포함수 f(E)에 대한 설명으로 틀린 것은? (단 Ef는 페르미준위이다.)

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  7. 페르미준위가 5[eV]일 때 전자의 속도는 얼마인가?

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  8. 운동 에너지를 10-16[J] 갖고 있는 전자를 정지시키기 위해서는 몇 [V]의 전압을 공급해야 하는가?

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  9. PN접합에서 접촉전위차에 대한 설명으로 옳은 것은?

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  10. d=0.2[mm]인 Ge 시료에 10[mA]의 전류(I)를 통하고 이에 수직인 방향으로 B=0.1[Wb/m2]의 자장을 가할 경우 홀(Hall) 기전력은? (단, RH=2×10-4[m3/C])

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  11. Si 단결정 반도체에서 n형 불순물로 사용될 수 있는 것은?

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  12. 드리프트 트랜지스터(drift transistor)의 설명으로 틀린 것은?

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  13. 드리프트 운동과 확산 운동의 관계를 나타낸 아인슈타인 관계식은?

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  14. 가전자대의 전자밀도가 8.4×1028[개/m3]인 금속에 전류밀도가 2×106[A/m2]인 전류가 흐를 때 드리프트 속도는?

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  15. 다이라트론(thyratron)의 그리드(grid) 작용은 방전이 일어난 후에는 제어기능이 상실되는데 그 원인으로 적당한 것은?

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  16. 어떤 물질에 X선을 쬐었을 때 산란되는 X선 중에 입사 X선과 같은 파장인 것 이외에 긴 파장이 존재한다는 효과는?

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  17. 전자의 이동도 μn=8×10-4[m2/Vㆍs]인 도체에 전계 E=10[V/m]를 인가하였을 경우 전류밀도는? (단, 전자의 밀도 n=8.5×1028[개/m3]이다.)

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  18. 열전자를 방출하기 위한 재료로서 적합하지 않은 것은?

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  19. 양자역학의 보어 원자 모형에서 전자의 운동 방경으로 옳은 것은?

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  20. 접합트랜지스터의 베타 차단 주파수 fβ는? (단, β0는 저주파수에서의 β값)

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  21. 페르미 준위에 대한 설명으로 틀린 것은?

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  22. 순방향 전압이 걸린 PN 접합(부)의 특성을 설명한 것으로 옳지 않은 것은?

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  23. 어떤 광자가 물질을 통과한 후 2537Å 및 4078Å의 두 광자로 분리되었을 때, 원래 조사한 빛의 파장은?

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  24. 트랜지스터의 증폭회로에서 안정도(stability factor)는? (단, IC는 컬렉터 전류, IB는 베이스 전류, ICD는 컬렉터 역포화 전류)

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  25. 트랜지스터의 전류이득 α를 크게 하는 조건으로 틀린 것은?

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  26. 정상 바이어스를 가한 npn 트랜지스터에서 컬렉터 접합에 흐르는 주된 전류는?

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  27. 금속내부의 자유전자에 에너지를 공급하면 금속 밖으로 튀어나오는 현상이 아닌 것은?

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  28. 터널(tunnel) 다이오드에 대한 설명으로 틀린것은?

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  29. 페르미-디랙(Fermi-Dirac) 분포에 대한 설명이 틀린 것은?

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  30. 직경 4[mm]인 동선에 4[A]의 전류가 흐르고 있을 때 전자의 평균이동속도는? (단, n=8.2×1023[개/cm3], e=1.602×10-19[C])

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  31. PN 접합에 순바이어스(forward-bias)를 가할 때 공핍층의 폭은 무바이어스 시 보다 어떠한가?

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  32. 반도체(semiconductor)에 대한 설명으로 옳은 것은?

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  33. MOSFET의 구조와 동작원리에 대한 설명으로 옳은 것은?

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  34. 피에조 저항(piezo resistance)은?

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  35. 도체, 반도체, 절연체의 에너지 대역에 관한 설명으로 틀린 것은?

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  36. 컬렉터 접합부의 온도 상승으로 인하여 트랜지스터가 파괴되는 현상은?

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  37. 실리콘 n형 반도체에 관한 설명으로 옳은 것은?

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  38. 초전도 현상에 대한 설명으로 틀린 것은?

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  39. 광속도의 1/5의 속도로 운동하고 있는 전자의 드브로이(de Broglie) 파장은? (단, h=6.6×10-34[Jㆍsec], 전자의 질량 m=9.1×10-31[kg], 광속도 c=3×108[m/sec])

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  40. 반도체의 전도에 관한 설명으로 틀린 것은?

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