전자기사 · 과목별 복습
전자기사 물리전자공학 기출문제 · 7페이지
물리전자공학에 분류된 여러 회차의 기출문제를 모았습니다. 먼저 답을 생각해 본 뒤 문제를 열어 정답과 제공되는 해설을 확인해 보세요.
보유 기출문제의 과목 분류를 기준으로 묶었습니다. 회차마다 출제 범위와 기준이 다를 수 있으니 각 문항의 회차를 함께 확인해 주세요.
전체 1,040문제
241–280번째 · 7/26페이지
- 2016년10월01일61번
운동 전자의 드브로이 파장이 3×10-10[m]인 경우 전자의 속도는? (단, 프랭크 상수 h=6.6×10-34[Jㆍsec]전자의 질량 m=9.1×10-31[kg] 이다.)
문제·정답 확인 → - 2016년10월01일62번
파울리(Pauli)의 배타 원리가 적용되는 통계 방식의 종류는?
문제·정답 확인 → - 2016년10월01일63번
전자와 정공의 농도(concentration)를 구하는 것에 이용될 수 있는 것은?
문제·정답 확인 → - 2016년10월01일64번
다음 중 전류 제어용 소자는?
문제·정답 확인 → - 2016년10월01일65번
펀치 스루(punch through) 현상에 대한 설명으로 틀린 것은?
문제·정답 확인 → - 2016년10월01일66번
pn 접합 다이오드에 역방향 바이어스 전압을 공급할 때의 특징으로 틀린 것은?
문제·정답 확인 → - 2016년10월01일67번
300[K]에서 페르미 준위보다 0.1[eV]만큼 낮은 에너지 준위에 전자가 점유하는 확률은 약 얼마인가?
문제·정답 확인 → - 2016년10월01일68번
재결합 중심(recombination center)의 원인이 되는 설명으로 옳지 않은 것은?
문제·정답 확인 → - 2016년10월01일69번
서미스터(thermistor)에 대한 설명 중 틀린 것은?
문제·정답 확인 → - 2016년10월01일70번
순수 반도체가 절대온도 0[K]의 환경에 존재하는 경우 이 반도체의 특성을 가장 바르게 설명한 것은?
문제·정답 확인 → - 2016년10월01일71번
부성(negative) 저항 특성을 나타내는 다이오드는?
문제·정답 확인 → - 2016년10월01일72번
FET를 단극성 소자라고 하는 이유는?
문제·정답 확인 → - 2016년10월01일73번
전자의 입자와 파동의 이중성을 설명하는 드브로이파(de Broglie wave, 물질파)에 관한 올바른 식은? (단, h: 프랭크 상수, m: 전자의 질량, υ: 속도, λ: 파장이다.)
문제·정답 확인 → - 2016년10월01일74번
P 채널 전계효과 트랜지스터(FET)에 흐르는 전류는 주로 어느 현상에 의한 것인가?
문제·정답 확인 → - 2016년10월01일75번
서로 다른 도체로 폐회로를 구성하고 직류전류를 흐르게 했을 때, 전류의 방향에 따라 서로 다른 도체 사이의 접합의 한쪽은 가열되는 반면, 또 다른 한쪽은 냉각이 되는 효과를 무엇이라 하는가?
문제·정답 확인 → - 2016년10월01일76번
에너지 Level E가 전자에 의해서 채워질 확률을 f(E)라 했을 때, 에너지 Level E가 정공에 의해서 채워질 확률은?
문제·정답 확인 → - 2016년10월01일77번
접합형 트랜지스터가 스위치로 쓰이는 영역은?
문제·정답 확인 → - 2016년10월01일78번
진성반도체에서 온도에 따른 페르미 준위와의 관계로 가장 옳은 것은? (단, 전자와 정공의 유효질량은 같다고 가정한다.)
문제·정답 확인 → - 2016년10월01일79번
고속의 전자(이온)가 금속의 표면에 충돌하면 금속 안의 자유전자가 방출되는 현상은?
문제·정답 확인 → - 2016년10월01일80번
베이스 폭(d)이 0.02mm 이고, 전자의 확산계수(De)가 0.02[m2 /sec]인 트랜지스터의 차단주파수는 약 MHz 인가?
문제·정답 확인 → - 2016년05월08일61번
Pauli의 배타율 원리에 대한 설명으로 틀린 것은?
문제·정답 확인 → - 2016년05월08일62번
반도체에 전계(E)를 가하면 정공의 드리프트(drift) 속도 방향은?
문제·정답 확인 → - 2016년05월08일63번
기체 중에서 방전 현상은 어느 현상에 해당하는가?
문제·정답 확인 → - 2016년05월08일64번
실리콘 PN 접합에서 단면적이 0.1[mm2], 공간전하 영역 폭이 2×10-4[cm]일 때 공간전하 용량은 약 얼마인가? (단, Si의 비유전율은 12, ε0=8.85×10-12[F/m])
문제·정답 확인 → - 2016년05월08일65번
정공의 확산계수를 Dp, 정공의 확산거리가 Lp로 주어졌을 때, 정공의 평균수명시간 τp를 나타낸 식은?
문제·정답 확인 → - 2016년05월08일66번
페르미준위 Ef에서 진성 반도체의 Fermi-Dirac 분포 함수의 값은?
문제·정답 확인 → - 2016년05월08일67번
PN 접합 양측에 불순물 함유량이 많을 경우에 일어나는 현상이 아닌 것은?
문제·정답 확인 → - 2016년05월08일68번
펀치 스루(punch-through) 현상에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
문제·정답 확인 → - 2016년05월08일69번
다음 중 어떤 에너지 준위에 입자가 존재할 확률을 의미하는 분포함수가 아닌 것은?
문제·정답 확인 → - 2016년05월08일70번
터널 다이오드(tunnel diode)의 설명 중 틀린 것은?
문제·정답 확인 → - 2016년05월08일71번
트랜지스터의 제조에서 에피택시얼 층(epitaxia layer)이 많이 사용되는 이유는?
문제·정답 확인 → - 2016년05월08일72번
Fermi 준위에 대한 설명으로 올바른 것은?
문제·정답 확인 → - 2016년05월08일73번
진성 반도체에 대한 설명 중 틀린 것은?
문제·정답 확인 → - 2016년05월08일74번
빛의 파장이 1[Å]일 때 광자의 에너지는?
문제·정답 확인 → - 2016년05월08일75번
pn접합 다이오드의 확산 용량(diffusion capacitance)에 관한 설명으로 옳은 것은?
문제·정답 확인 → - 2016년05월08일76번
쌍극성 접합 트랜지스터(BJT)를 베이스 접지하고 컬렉터 전압을 일정하게 유지하며 이미터 전류를 4[mA] 변화시킬 때 컬렉터 전류가 3.8[mA] 변화하였다. 이 트랜지스터의 전류 증폭률 α와 β는?
문제·정답 확인 → - 2016년05월08일77번
금속의 광전자 방출에 관한 설명으로 옳은 것은?
문제·정답 확인 → - 2016년05월08일78번
평형 상태에서 n형 불순물 반도체의 홀(hole) 농도를 나타낸 것은? (단, ni: 진성반도체의 캐리어 밀도 Nd: 도너 농도이다.
문제·정답 확인 → - 2016년05월08일79번
핀치오프 전압 VP이 -4[V]이고, VGS가 0일 때 드레인 전류 IDSS가 8[mA]인 JFET에서 VGS가 -1.8[V]일 때 드레인 전류는 몇 mA 인가?
문제·정답 확인 → - 2016년05월08일80번
페르미(Fermi) 준위가 금지대의 중앙에 위치하여 자유전자와 정공의 농도가 같은 반도체는?
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