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전자기사 · 과목별 복습

전자기사 물리전자공학 기출문제 · 6페이지

물리전자공학에 분류된 여러 회차의 기출문제를 모았습니다. 먼저 답을 생각해 본 뒤 문제를 열어 정답과 제공되는 해설을 확인해 보세요.

보유 기출문제의 과목 분류를 기준으로 묶었습니다. 회차마다 출제 범위와 기준이 다를 수 있으니 각 문항의 회차를 함께 확인해 주세요.

전체 1,040문제

201–240번째 · 6/26페이지

  1. 전자 방출에 관한 설명으로 틀린 것은?

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  2. 공간전하영역이 반도체 내에만 존재하고, 금속 내에서 존재하지 않는 이유는?

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  3. 실리콘 제어 정류소자(SCR)에 관한 설명으로 틀린 것은?

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  4. 바리스터의 동작원리에 관한 설명 중 옳은 것은?

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  5. 전계의 세기 E = 106[V/m]의 평등 전계 중에 놓인 전자의 가속도는? (단, 전자의 질량은 9.11×10-31[kg] 이고, 전하량은 1.602×10-19[C] 이다.)

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  6. pn 접합부의 특성으로 틀린 것은?

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  7. 트랜지스터에서 컬렉터의 역방향 바이어스를 계속 증대시키면 컬렉터 접합의 공핍층이 이미터 접합의 공핍층과 닿게 되어 베이스 중성영역이 없어지는 현상은?

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  8. 300 K에서 P형 반도체의 억셉터 준위가 32%가 채워져 있을 때 페르미 준위와 억셉터 준위의 차이는 몇 eV 인가?

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  9. 물질에서 직접적으로 전자가 방출될 수 있는 조건이 아닌 것은?

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  10. 진성 반도체에서 온도가 상승하면 페르미 준위는?

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  11. 반도체에 관한 설명 중 잘못된 것은?

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  12. 실리콘(Si) PN 접합다이오드에서의 컷인 전압(cut-in voltage)은 약 얼마인가?

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  13. 3[cm] 떨어진 두 평면 전극으로 구성된 2극관에 3kV의 전압을 걸었을 때, 강전계로 인해 음극의 일함수가 낮아질 경우, 감소된 일함수의 양은? (단, 전자의 전하량 e=1.6×10-19[C], 진공에서의 유전율 ε0=8.85×10-12[F/m]이다.)

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  14. 금속의 일함수에 관한 설명으로 옳은 것은?

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  15. Ge 트랜지스터와 비교하였을 때 Si 트랜지스터에 관한 설명으로 틀린 것은?

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  16. Pauli의 배타율 원리를 만족하는 분포 함수는?

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  17. 선형적인 증폭을 위해서 트랜지스터의 동작점은?

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  18. SCR의 Gate 단자로부터 트리거 신호를 인가하여 SCR을 ON 시키는데 필요한 최소한의 양극전류를 무엇이라 하는가?

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  19. 2×105[m/s]의 속도로 운동하고 있는 수소원자의 de Broglie 파장[m]은 얼마인가? (단, 수소의 질량은 1.7×10-27[kg]이고, 플랑크 상수는 6.63×10-34[J・s]이다.)

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  20. 다음 원소 중 P형 반도체를 만드는 불순물이 아닌 것은?

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  21. 1cm의 반도체에 1V를 인가했을 때 이동하는 캐리어 속도를 무엇이라고 하는가?

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  22. 다음 배리스터(Varistor)에 대한 설명 중 틀린것은?

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  23. 접합형 트랜지스터의 구조에 대한 설명으로 옳은 것은?(오류 신고가 접수된 문제입니다. 반드시 정답과 해설을 확인하시기 바랍니다.)

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  24. 균등전계 내 전자의 운동에 관한 설명 중 틀린것은?

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  25. 다음 반도체에 관한 설명 중 틀린 것은?

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  26. 전계의 세기가 E=100[V/m]인 전계 중에 놓인 전자에 가해지는 전자의 가속도는? (단, 전하량은 1.602×10-19[C], 전자의 질량은 9.11×10-31[kg]이다.)

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  27. Fermi 준위에서의 Fermi-Dirac의 확률 분포함수 f(E)의 값은?

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  28. 균등자계(B) 내에 수직으로 속도 v로 입사한 전자의 속도를 2배로 증가시켰을 때, 전자의 운동은 어떻게 변하는가?

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  29. 집적회로 내에서 전기적인 상호배선 사이의 절연과 불순물 확산에 대한 보호층을 형성하는 반도체 공정은?

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  30. 수소 원자에서 원자핵 주위를 돌고 있는 전자가 에너지 준위 E1(-5.14×10-12[erg]) 상태에서, 에너지 준위 E2(-21.7×10-12[erg]) 상태로 천이할 때 내는 빛의 진동수는 약 얼마인가? (단, 플랑크 상수 h=6.63×10-27[ergㆍsec]이다.)

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  31. 금속 표면에 빛을 조사하면 금속 내의 전자가 방출하는 현상은?

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  32. 1Ω의 교류저항 성분을 가지는 PN 접합 다이오드가 상온에서 순방향으로 바이어스(Bias) 걸려 있을 때 흐르는 순방향 전류는 약 몇 A인가?

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  33. 음전하를 금속표면 근처에 가져오면 양전하가 금속에 유기되고, 이것으로 인한 영상력(image force)이 인가전계와 결합되면 일함수는 약간 감소하는데, 이와 같이 전위장벽이 저하하는 현상은?

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  34. 온도가 상승함에 따라 불순물 반도체의 페르미 준위는?

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  35. 진성 반도체에서 온도가 상승할 때 나타나는 현상은?

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  36. 쇼트키(schottky) 다이오드는 어떠한 접촉에 의하여 이루어지고 있는가?

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  37. 캐리어의 확산 속도는? (단, 캐리어 밀도는 m, 거리는 x이다.)

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  38. PN 접합에서 푸아송(Poisson) 방정식을 올바르게 나타낸 식은? (단, V:전압, I:전류, x:거리, ρ: 전하밀도, Є:유전율이다.

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  39. 일함수(work function)의 설명 중 틀린 것은?

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  40. PN 접합 다이오드의 공핍층(depletion layer)과 공일한 용어는?

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