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전자기사 · 과목별 복습

전자기사 물리전자공학 기출문제 · 5페이지

물리전자공학에 분류된 여러 회차의 기출문제를 모았습니다. 먼저 답을 생각해 본 뒤 문제를 열어 정답과 제공되는 해설을 확인해 보세요.

보유 기출문제의 과목 분류를 기준으로 묶었습니다. 회차마다 출제 범위와 기준이 다를 수 있으니 각 문항의 회차를 함께 확인해 주세요.

전체 1,040문제

161–200번째 · 5/26페이지

  1. Fermi Dirac 분포함수에 구성요소가 아닌 것은?

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  2. 레이저(LASER)에 관한 설명 중 옳지 않은 것은?

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  3. 실리콘으로 된 pn 접합에서 단면적이 0.5 mm2 이고 공간전하 영역의 폭이 2×10-4cm일 때 공간 전하용량은 약 몇 pF 인가?(단, 실리콘의 비유전율은 12, 진공의 유전율은 8.85×10-12[F/m]이다.

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  4. 접합 트랜지스터를 실제로 응용하기 위한 요구조건이 아닌 것은?

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  5. 서지 전압에 대한 보호용 회로에서 사용되고 전압에 의해 저항이 크게 변하는 비직선성을 가지는 가변저항 소자는?

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  6. 광도전 효과를 이용한 도전체가 아닌 것은?

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  7. 나트륨(Na)의 한계주파수는 4.35×1014Hz이다. 나트륨의 일함수는 약 몇 eV 인가?(단, h는 6.625×10-34[J・s]이고, c는 1.602×10-19[C]이다.)

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  8. 베이스 폭 변조가 이루어지는 경우에 발생하는 현상으로 맞게 설명한 것은?

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  9. 금속에 빛을 비추면 금속표면에서 전자가 공간으로 방출되는 것은?

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  10. 두 전극판 A와 B의 거리를 d[m], 양극간의 전위차가 V[V], 전극판 B면에 정지 상태에 있던 전자가 가속되어 전극판 A까지 도달하는데 걸리는 시간은? (단, 전자의 질량은 m, 전자의 전하는 e이다.)

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  11. 양자(Quantum) 1개의 질량은 약 몇 kg 인가?

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  12. 접합 트랜지스터의 h-파라미터(parameter) 사이의 관계 중 옳은 것은?

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  13. 터널 다이오드가 부성 저항영역을 갖는 이유는?

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  14. 동종 반도체 pn접합에서 열평형 상태 에너지 밴드 다이어그램(band diagram)에 대한 설명 중 틀린 것은?

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  15. 진성반도체의 온도변화에 따라 페르미준위는 어떻게 되는가?

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  16. 다음과 같이 역방향으로 바이어스 된 PN접합에서 최대 역방향 전류(A)는? (단, Vbr:역방향 브레이크다운 임계전압이다.)

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  17. 열전자를 방출하기 위한 재료의 조건으로 틀린것은?

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  18. 반도체에 전장을 가하면 전자는 어떤 운동을 하는가? (단, 불규칙적인 열운동을 하는 중이라 가정한다.)

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  19. 진성게르마늄내의 정공의 수명이 400μs이면 그 확산거리는 약 몇 m 인가?(단, 정공의 확산정수는 0.47×10-2 m2/s 이다.)

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  20. 진성반도체에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?

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  21. 에너지 분포함수가 “0”이라는 것은 무엇을 의미하는가?

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  22. 양자화된 에너지로 분포되나 파울리(Pauli)의 베타 원리가 적용되지 않는 광자를 취급하는 분포함수는?

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  23. 초전도 현상에 관한 설명으로 옳은 것은?

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  24. 트랜지스터의 출력 특성에는 바이어스(bias) 구성에 의한 4가지 동작 영역이 있다. 증폭동작이 가능한 영역으로 옳은 것은?

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  25. 이동도(mobility)에 관한 설명으로 틀린 것은?

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  26. MOSFET와 BJT의 최상의 특성만을 결합시킨 형태의 반도체소자는?

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  27. 금속과 반도체의 정류성 접촉을 이용한 반도체는?

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  28. 접합 트랜지스터의 증폭작용은 베이스 영역에서의 어떤 전하들의 확산에 의한 것인가?

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  29. 다음 중 일함수에 관한 설명으로 틀린 것은?

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  30. pn 접합 다이오드의 역포화 전류를 감소시키기 위한 방법으로 틀린 것은?

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  31. 주양자수 n=3인 전자각 M에 들어갈 수 있는 최대 전자수는?

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  32. 다음 중 SCR에 관한 설명으로 틀린 것은?

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  33. 실내온도에서 진성반도체(Si)의 페르미 에너지(Ef)가 근사적으로 금지대역의 중앙에 위치한다고 가정할 때, 전자가 전도대의 바닥상태에 있을 확률은? (단, 실온에서 Si의 Eg=1.12eV이다.)

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  34. 반도체의 특성에 대한 설명으로 틀린 것은?

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  35. 전자볼트(electron volt, eV)는 전자 한 개가 1볼트의 전위차를 통과할 때 얻는 운동 에너지를 1[eV]로 정한 것이다. 1[eV]는 대략 몇 J(joule)인가?

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  36. 베이스 증폭 접합형 트랜지스터의 전류 증폭율(α)은 0.95이고, 차단 주파수(fα)는 5MHz이다. 이미터 접지로 사용할 때 차단 주파수(fβ)는?(오류 신고가 접수된 문제입니다. 반드시 정답과 해설을 확인하시기 바랍니다.)

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  37. N형 불순물로 사용될 수 없는 것은?

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  38. 반도체 재료의 제조시 고유저항을 측정하는 이유로 옳은 것은?

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  39. 전자가 외부의 힘(열, 빛, 전장)을 받아 핵의 구속력으로부터 벗어나 결정 내를 자유로이 이동할 수 있는 자유전자의 상태로 존재하는 에너지대는?

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  40. 어떤 금속의 표면전위장벽(EB)가 13.47eV이고, 페르미 에너지(Ef)가 8.95eV일 때, 이 금속의 일함수(Ew)는?

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