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전자기사 · 과목별 복습

전자기사 물리전자공학 기출문제 · 4페이지

물리전자공학에 분류된 여러 회차의 기출문제를 모았습니다. 먼저 답을 생각해 본 뒤 문제를 열어 정답과 제공되는 해설을 확인해 보세요.

보유 기출문제의 과목 분류를 기준으로 묶었습니다. 회차마다 출제 범위와 기준이 다를 수 있으니 각 문항의 회차를 함께 확인해 주세요.

전체 1,040문제

121–160번째 · 4/26페이지

  1. Ge과 비교하였을 때, Si의 장점이 아닌 것은?

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  2. 열전자 방출현상에서 전류와 일함수와의 관계를 나타낸 식은?

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  3. 광전자 방출에 관한 특징과 거리가 먼 것은?

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  4. 전자의 수가 33인 원자의 가전자 수는?

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  5. 어떤 물질에 일정한 진동수의 X선을 비추면 그 물질에 의해 산란된 X선 중에서 입사 X선보다 파장이 긴 X선 성분이 포함되는 현상을 무엇이라고 하는가?

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  6. pn 접합이 충분히 역바이어스 되어있는 경우 접합용량(junction capacitance)과 역바이어스 전압(V)과의 관계로 옳은 것은?

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  7. 광전자 방출 현상에서 방출된 전자의 운동에너지(Ek)는 다음과 같이 표시된다. 여기서 Ew는 무엇을 의미 하는가? (단, ν는 광자의 주파수, h는 프랭크(plank) 상수이다.)

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  8. 반도체의 자유전자는 전도대에 있고, 결합전자는 가전자대에 있을 경우 틀리게 설명한 것은?

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  9. 27[℃]인 금속 도체에서 페르미 준위보다 0.1eV 상위 및 하위에서 전자가 점유하는 확률은? (단, 볼츠만의 상수(k)는 1.38×10-23 [J/K]이다.)

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  10. 양자역학의 보어(Bohr) 원자 모형에서 전자의 운동 방경으로 옳은 것은? (단, 주양자수는 n이다.)

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  11. 서미스터(Thermistor) 소자에 관한 설명 중 틀린 것은?

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  12. 반도체에 관한 효과에 따른 용도가 틀리게 짝지어진 것은?

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  13. 열평형상태에 있는 반도체에서 가전자대 정공농도(po)와 전도대 전자농도(no)를 곱한 pn적에 관한 설명으로 옳은 것은?

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  14. MOSFET에 대한 설명 중 틀린 것은?

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  15. 진성 반도체에 있어서 전도대의 전자밀도(n)는 에너지 갭(Eg)의 크기에 따라 변한다. 다음 전자밀도와 에너지 갭의 관계를 바르게 설명한 것은?

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  16. 접합 트랜지스터의 직류전류증폭률(hFE)에 관한 설명 중 틀린 것은?

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  17. 전계에 의하여 일함수가 작아져 열전자 방출이 쉬워지는 효과는?

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  18. 진공 속의 알루미늄(Al) 표면에서 전자 1개가 방출하는데 필요한 최소에너지는 얼마인가? (단, 알루미늄의 일함수는 4.08eV이다.)

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  19. pn 접합에 관한 설명으로 가장 적합한 것은?

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  20. 가전자대의 전자밀도가 1025[m-3 ]인 금속에 전류밀도가 107[A/m2 ]인 전류가 흐르면, 이때의 드리프트 속도는 몇 m/s 인가?

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  21. 어떠한 물질에서 전자를 방출시키는 직접적인 방법으로 틀린 것은?

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  22. 도체 또는 반도체에서 Hall 기전력 VH2, 전류밀도(J) 및 자계(B)사이의 관계를 나타내는 것 중 가장 적절한 것은? (단, RH는 상수이다.)

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  23. pnp 트랜지스터의 이미터 효율을 정의한 것은?

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  24. 반도체는 절대온도 0[K]에서 절연체, 상온에서 절연체와 도체의 중간적 성질을 가진다. 만일 불순물의 농도가 증가하였을 때, 도전율(σ)과 고유저항(ρ)은 어떻게 되는가?

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  25. 다음 보기의 설명이 나타내는 것은?

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  26. 외인성 반도체(n형)에서 도너(Donor) 에너지 레벨의 위치는?

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  27. 진성 반도체에서 Ge의 진성 캐리어 밀도는 상온에서 Si보다 높다. 그 이유의 설명으로 가장 적합한 것은?

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  28. 반도체의 특성에 관한 설명 중 틀린 것은?

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  29. 원자에서 최외각전자 1개를 떼어낼 때 필요한 에너지, 즉 전자를 떼어서 무한대 거리까지 가져가는데 필요한 에너지는 무엇인가?

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  30. 다음과 같은 원리와 관계되는 것은?

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  31. 2×104[m/s]의 속도로 운동하는 전자의 드-브로이(de Broglie) 파장은? (단, 프랑크 상수는 6.626 × 10-34[J·s], 전자의 질량은 9.1 × 10-31[kg]이다.)

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  32. 저온에서 반도체 내의 캐리어(carrier) 에너지 분포를 나타내는데 가장 적절한 것은?

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  33. 다음 중 Pauli의 배타율 원리가 만족되는 분포함수는?

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  34. MOSFET의 채널폭이 공픽층 길이와 거의 같은 크기일 때, 필드 산화막 아래에서 축적된 전하에 의해 문턱전압이 증가하는 효과를 무엇이라고 하는가?

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  35. n 채널 전계 효과 트랜지스터에 흐르는 전류는 주로 어느 현상에 의한 것인가?

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  36. 가전자대의 전자밀도가 1022[m-3]인 금속에 전류밀도가 106[A/m2]인 전류가 흐른다면 드리프트 속도는?

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  37. 열평형 상태인 pn접합 다이오드에서 p영역의 전자밀도를 np 라 하면, n영역의 전자농도 nn은? (단, VO는 전위장벽, K는 볼츠만 상수, T는 절대온도이다.)

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  38. 건(Gunn) 다이오드에서 부성저항이 생기는 원인은?

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  39. pn접합 다이오드에 역바이어스 전압을 인가할 때 나타나는 현상에 관한 설명 중 옳은 것은? (단, 브레이크다운 전압(breakdown voltage) 보다는 낮은 범위이다.)

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  40. 태양광을 DC 전기에너지로 변환하는데 사용하는 반도체 pn접합 소자를 무엇이라 하는가?

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