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전자기사 · 과목별 복습

전자기사 물리전자공학 기출문제 · 3페이지

물리전자공학에 분류된 여러 회차의 기출문제를 모았습니다. 먼저 답을 생각해 본 뒤 문제를 열어 정답과 제공되는 해설을 확인해 보세요.

보유 기출문제의 과목 분류를 기준으로 묶었습니다. 회차마다 출제 범위와 기준이 다를 수 있으니 각 문항의 회차를 함께 확인해 주세요.

전체 1,040문제

81–120번째 · 3/26페이지

  1. 접합형 트랜지스터에서 스위칭 작업에 필요한 동작영역은?

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  2. 다음 중 에너지밴드에 속하지 않는 것은?

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  3. 진성 반도체에 대한 설명 중 틀린 것은?

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  4. 물질에서 직접적으로 전자가 방출될 수 있는 조건이 아닌 것은?

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  5. 열전자 방출을 할 때 전계에 의해서 일함수가 적어져서 열전자 방출이 쉬워지는 현상을 무엇이라 하는가?

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  6. 터널 효과의 가능성을 나타내는 원리는 어느 것인가?

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  7. 어느 열음극의 일함수(work functuon)의 값이 1/2로 되면 열전자 전류밀도는 어떻게 되는가?

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  8. 순방향 바이어스전압이 PN접합 다이오드 양단에 인가될 때 공핍층 가까이에서 소수캐리어의 농도의 변화는 어떻게 되는가?

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  9. 터널 다이오드(tunnel diode)의 설명 중 틀린 것은?

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  10. 트랜지스터 제조시 컬렉터 내부용량과 베이스 저항을 작게 하는 이유로 가장 적절한 것은?

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  11. 광도전 반도체 소자는?

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  12. 다음 중 플라즈마(Plasma)와 같은 기체 상태의 경우 적용될 수 있는 분포식은?

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  13. 5600Å의 파장을 가진빛이 광전면에 투사되어 방출된 광전자의 최대 에너지가 0.68eV 이라고 하면 광전면의 일함수는 약 얼마인가? (단, 플랑크 상수 = 6.6×10-34 [J·S], 광속도 = 3×108m/s, e = 1.6×10-19 [C])

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  14. 학산 정수 D, 이동도 μ, 절대온도 T 간의 관계식으로 옳은 것은? (단, k는 볼츠만의 상수이고, e는 캐리어의 전하이다.)

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  15. 균등전계 내 전자의 운동에 관한 설명 중 틀린 것은?

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  16. 어떤 도체의 단면을 1A의 전류가 흐를 때 이 단면을 0.1초 동안에 통과하는 전자 수는? (단, 전자의 전하량 Q = 1.6×10-19[C]이다.)

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  17. P채널 전계효과 트랜지스터(FET)에 흐르는 전류는 주로 어느 현상에 의한 것인가?

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  18. Fermi-Dirac 분포함수 f(E)에 대한 설명으로 틀린 것은? (단, Ef는 페르미준위이다.)

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  19. 바리스터의 동작원리에 관한 설명 중 옳은 것은?

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  20. 홀(hall) 효과와 가장 관계가 깊은 것은?

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  21. 반도체의 에너지 대역에 대한 설명으로 틀린 것은?

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  22. p형 반도체의 전기적 성질을 바르게 설명한 것은?

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  23. 광양자가 운동량을 갖고 있음을 증명할 수 있는 것은?

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  24. T=0K에서 전자가 가질 수 있는 최대 에너지 준위는?

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  25. 높은 주파수의 응용에 중요한 관계를 갖는 반도체의 성질은?

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  26. Fermi 에너지에 대한 설명으로 틀린 것은?

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  27. 다음 중 스위칭 시간이 대단히 짧아 고속 스위칭 회로에 사용되는 소자는?

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  28. 발광 다이오드(LED)에 대한 설명으로 옳은 것은?

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  29. 접합형 전계효과 트랜지스터의 핀치오프 상태에 대한 설명으로 적합하지 않는 것은?

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  30. 정자계내에서 자계와 수직이 아닌 임의의 각도로 운동하는 전자의 궤도는?

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  31. MOSFET의 구조와 동작원리에 대한 설명으로 옳은 것은?

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  32. MOSFET에 대한 설명 중 틀린 것은?

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  33. 반도체의 성질에 대한 설명으로 틀린 것은?

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  34. 수소원자에서 원자핵 주위를 돌고 있는 전자가 에너지 준위 E1 = -5.4×10-13(erg)상태에서, 에너지 준위 E2 = -21.7×10-12(erg)상태로 천이할 때 내는 빛의 진동수는 약 얼마인가? (단, Planck 상수 h = 6.63×10-27erg·sec이다.)(문제 오류로 가답안 발표시 2번으로 발표되었지

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  35. JFET의 특성곡선에 대한 설명으로 틀린 것은?

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  36. 광전자 방출에 대한 설명으로 틀린 것은?

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  37. 이미터접지 증폭회로에서 베이스전류를 10㎂에서 20㎂로 증가시켰을 때, 컬렉터 전류의 변화량은? (단, β = 100이다.)

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  38. 실온에서 Si 진성반도체의 고유저항은 약 얼마인가? (단, 실온에서 n = 1400cm2/V·sec, p = 600cm2/V·sec, ni = 1.5×1010개/cm3 이다.)

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  39. 도체, 반도체, 절연체의 에너지 대역에 관한 설명으로 틀린 것은?

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  40. 정상 동작 상태로 바이어스 된 NPN 트랜지스터에 컬렉터 접합을 통과하는 주된 전류는?

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