전자기사 · 과목별 복습
전자기사 물리전자공학 기출문제 · 12페이지
물리전자공학에 분류된 여러 회차의 기출문제를 모았습니다. 먼저 답을 생각해 본 뒤 문제를 열어 정답과 제공되는 해설을 확인해 보세요.
보유 기출문제의 과목 분류를 기준으로 묶었습니다. 회차마다 출제 범위와 기준이 다를 수 있으니 각 문항의 회차를 함께 확인해 주세요.
전체 1,040문제
441–480번째 · 12/26페이지
- 2013년06월02일61번
상온 300[K]에서 페르미 준위보다 0.1[eV]만큼 낮은 에너지 준위에 전자가 점유하는 확률은?
문제·정답 확인 → - 2013년06월02일62번
진성 반도체에서 드리프트 전류의 대부분이 자유전자에 의해 발생하는 가장 큰 이유는?
문제·정답 확인 → - 2013년06월02일63번
펀치스로우(punch through) 현상에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?
문제·정답 확인 → - 2013년06월02일64번
트랜지스터의 출력특성에는 Bias 구성에 의한 동작 영역이 있다. 증폭동작이 가능한 영역은?
문제·정답 확인 → - 2013년06월02일65번
Si 접합형 npn 트랜지스터의 베이스 폭이 10-5[m]일 때, α 차단주파수는 약 몇 [MHz]인가? (단, Si의 전자이동도 μn은 0.15[m2/Vㆍs]이다.)
문제·정답 확인 → - 2013년06월02일66번
페르미 준위에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
문제·정답 확인 → - 2013년06월02일67번
다음 중 에너지밴드에 속하지 않는 것은?
문제·정답 확인 → - 2013년06월02일68번
다음 중 열평형 상태에 있는 반도체에서 정공(正孔)밀도 p와 전자밀도 n을 곱한 pn적에 관한 설명으로 옳은 것은?
문제·정답 확인 → - 2013년06월02일69번
반도체의 전자와 정공에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?
문제·정답 확인 → - 2013년06월02일70번
캐리어의 확산 거리는 무엇에 의존하는가?
문제·정답 확인 → - 2013년06월02일71번
반도체 재료의 제조시 고유저항 측정을 가끔하는 이유는?
문제·정답 확인 → - 2013년06월02일72번
SCR에 관한 설명 중 옳지 않은 것은?
문제·정답 확인 → - 2013년06월02일73번
고주파수의 신호 전압에서 완벽하게 동작하기 위한 트랜지스터의 조건에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?
문제·정답 확인 → - 2013년06월02일74번
Zener diode 특성의 설명으로 옳은 것은?
문제·정답 확인 → - 2013년06월02일75번
2×104[m/sec]의 속도로 운동하는 전자의 드브로이(de Broglie) 파장은? (단, 프랑크 상수는 6.626×10-34[Jㆍsec], 전자의 질량은 9.1×10-31[kg])
문제·정답 확인 → - 2013년06월02일76번
어떤 반도체의 금지대폭 Eg가 상온 300[°K]에서 500[kT]일 때 이 반도체가 도전 상태가 되기 위한 필요 에너지는 약 얼마인가?
문제·정답 확인 → - 2013년06월02일77번
물질을 구성하고 있는 소립자에도 파동성이 있다고 최초로 주장한 사람은?
문제·정답 확인 → - 2013년06월02일78번
전도대와 가전자대 사이의 금지대(에너지 갭) 크기를 순서대로 나열한 것은?
문제·정답 확인 → - 2013년06월02일79번
PN 접합 다이오드에 순바이어스를 인가할 때 공핍층 근처의 소수캐리어 밀도는 어떻게 변화하는가?
문제·정답 확인 → - 2013년06월02일80번
광전자 방출 현상에 있어서 방출된 전자의 에너지는?
문제·정답 확인 → - 2013년03월10일61번
다음 원소 중 P형 반도체를 만드는 불순물이 아닌 것은?
문제·정답 확인 → - 2013년03월10일62번
확산 현상에 대한 설명 중 옳은 것은?
문제·정답 확인 → - 2013년03월10일63번
서미스터(thermistor) 용도로 옳지 않은 것은?
문제·정답 확인 → - 2013년03월10일64번
반도체에 관한 내용으로 잘못 짝지워 놓은 것은?
문제·정답 확인 → - 2013년03월10일65번
일정한 온도에서 n형 반도체의 도너 불순물 밀도를 증가시키면 페르미 준위는?
문제·정답 확인 → - 2013년03월10일66번
금속 표면에서 전자를 끌어내는 방향으로 전계를 가하면 금속표면의 전위장벽이 낮아진다. 이와 같은 효과는?
문제·정답 확인 → - 2013년03월10일67번
pn 접합에 역바이어스 전압을 걸어주면 어떠한 현상이 일어나는가?
문제·정답 확인 → - 2013년03월10일68번
컬렉터 접합부의 온도 상승으로 트랜지스터가 파괴되는 현상은?
문제·정답 확인 → - 2013년03월10일69번
300[K]에서 P형 반도체의 억셉터 준위가 32[%]가 채워져 있을 때 페르미 준위와 억셉터 준위의 차이는 몇 [eV]인가?
문제·정답 확인 → - 2013년03월10일70번
페르미 준위에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
문제·정답 확인 → - 2013년03월10일71번
쌍극성 접합 트랜지스터(BJT)의 순방향 전류전달비 αF가 0.98일 때 전류이득 βF는?
문제·정답 확인 → - 2013년03월10일72번
열평형 상태에서 PN 접합 전류가 zero(dud)라는 의미는?
문제·정답 확인 → - 2013년03월10일73번
가전자대의 전자가 빛의 에너지를 흡수하여 전도대로 올라감으로써 한쌍의 자유 전자의 정공이 생성되는 현상은?
문제·정답 확인 → - 2013년03월10일74번
접합형 트랜지스터에서 스위칭 작업에 필요한 동작영역은?
문제·정답 확인 → - 2013년03월10일75번
일반적으로 순수(intrinsic) 반도체에서 온도의 상승으로 나타나는 현상에 대한 설명으로 옳은 것은?
문제·정답 확인 → - 2013년03월10일76번
다음 중 광양자가 에너지와 운동량을 갖고 있음을 나타내는 것은?
문제·정답 확인 → - 2013년03월10일77번
PN 접합에서 접촉전위차에 대한 설명 중 옳은 것은?
문제·정답 확인 → - 2013년03월10일78번
어떤 도선에 1[A]의 전류가 흐르고 있을 때 임의의 단면적을 1[s] 동안에 1[C]의 전하가 이동한다면 이 단면적을 통과하는 전자의 수는?
문제·정답 확인 → - 2013년03월10일79번
어떤 금속의 전위장벽 높이(E0)가 13.47[eV]이고, 페르미에너지(Ef)가 8.95[eV]일 때, 이 금속의 일함수(Ew)는?
문제·정답 확인 → - 2013년03월10일80번
초전도 현상에 관한 설명으로 옳은 것은?
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