전자기사 · 과목별 복습
전자기사 물리전자공학 기출문제 · 13페이지
물리전자공학에 분류된 여러 회차의 기출문제를 모았습니다. 먼저 답을 생각해 본 뒤 문제를 열어 정답과 제공되는 해설을 확인해 보세요.
보유 기출문제의 과목 분류를 기준으로 묶었습니다. 회차마다 출제 범위와 기준이 다를 수 있으니 각 문항의 회차를 함께 확인해 주세요.
전체 1,040문제
481–520번째 · 13/26페이지
- 2012년09월15일61번
원자의 성질로 4가지 양자수(n, l, m, s)로서 결정되는 한 개의 양자 상태에는 한 개만의 전자 밖에 들어갈 수 없다는 원리는?
문제·정답 확인 → - 2012년09월15일62번
페르미 디락(Fermi-Dirac) 분포에 대한 설명 중 가장 옳지 않은 것은?
문제·정답 확인 → - 2012년09월15일63번
다음 중 전자의 비전하를 의미하는 것은?
문제·정답 확인 → - 2012년09월15일64번
전자의 전체 에너지를 E, 운동량을 P라 하면 위치에너지는? (문제 오류로 실제 시험에서는 모두 정답처리 되었습니다. 여기서는 1번을 누르면 정답 처리 됩니다.)
문제·정답 확인 → - 2012년09월15일65번
Bragg의 반사 조건을 나타내는 식은?
문제·정답 확인 → - 2012년09월15일66번
반도체에 전계를 가하면 정공의 드리프트(drift) 속도의 방향은?
문제·정답 확인 → - 2012년09월15일67번
트랜지스터의 제조에서 에피텍셜 층(epitaxial layer)이 많이 사용되는 이유는?
문제·정답 확인 → - 2012년09월15일68번
서미스터(Thermistor) 소자에 대한 설명 중 틀린 것은?
문제·정답 확인 → - 2012년09월15일69번
다음 중 더블 베이스 다이오드(double base diode)라고도 하는 것은?
문제·정답 확인 → - 2012년09월15일70번
자속밀도 B[Wb/m2]인 평등자계 중에 자계와 직각 방향으로 속도 r=mv/eB[m]로 원운동을 한다. 이때 전자의 운동 주기 T[sec]는?
문제·정답 확인 → - 2012년09월15일71번
27[℃]인 금속 도체에서 페르미 준위보다 0.1[eV] 상위에서 전자가 점유하는 확률은? (단, Boltzmann 상수 k는 1.38×10-23[J/K]이다.)
문제·정답 확인 → - 2012년09월15일72번
열전자 방출에서 전자류가 온도 제한 영역에 있어서도 플레이트 전위의 상승에 의해 더욱 증가하는 현상은?
문제·정답 확인 → - 2012년09월15일73번
실리콘으로 된 PN 접합에서 단면적이 0.5[mm2]이고 공간전하 영역의 폭이 2×10-4[cm]일 때 공간 전하 용량은? (단, 실리콘의 비유전율은 12, 진공의 유전율은 8.85×10-12[F/m]이다.)
문제·정답 확인 → - 2012년09월15일74번
서로 다른 도체로 폐회로를 구성하고 직류전류를 흘릴 때 전류의 방향에 따라 접합 부위에 온도차가 발생되는 현상은?
문제·정답 확인 → - 2012년09월15일75번
트랜지스터의 베이스 폭 변조에 대한 설명으로 틀린 것은?
문제·정답 확인 → - 2012년09월15일76번
Si 단결정 반도체에서 N형 불순물로 사용될 수 있는 것은?
문제·정답 확인 → - 2012년09월15일77번
금속 표면에 빛을 조사하면 금속 내의 전자가 방출하는 현상은?
문제·정답 확인 → - 2012년09월15일78번
서로 떨어져 있는 원자를 접근시켜 고체를 형성할 경우, 인접된 원자 간의 상호작용으로 분할된 에너지 준위(Level)가 본질적으로 연속적인 에너지 대역(Band)으로 변하게 되는데 이와 관련이 깊은 것은?
문제·정답 확인 → - 2012년09월15일79번
PN 접합에 순방향 바이어스가 인가되었을 때에 대한 설명 중 옳은 것은?
문제·정답 확인 → - 2012년09월15일80번
부성(負性) 저항의 특성이 가장 현저하게 나타나며, 일명 에사키(Esaki) 다이오드라고도 하는 것은?
문제·정답 확인 → - 2012년05월20일61번
PN 접합에 관한 다음의 설명 중 옳은 것은?(정답률:알수없음)
문제·정답 확인 → - 2012년05월20일62번
순수 반도체가 절대온도 0[K]의 환경에 존재하는 경우 이 반도체의 특성을 가장 바르게 설명한 것은?
문제·정답 확인 → - 2012년05월20일63번
쇼트키(schottky) 다이오드는 어떠한 접촉에 의하여 이루어지고 있는가?
문제·정답 확인 → - 2012년05월20일64번
α차단 주파수가 10[MHz]인 트랜지스터에서 이것을 이미터 접지로 사용할 경우 β차단 주파수는 약 몇 [kHz]인가? (단, α=0.98이다.)
문제·정답 확인 → - 2012년05월20일65번
0℃, 1기압(atm)에 대한 기체 분자 밀도는 약 얼마인가? (단, 볼츠만 상수 K=1.38×10-23[J/°K]이다.)
문제·정답 확인 → - 2012년05월20일66번
열전자를 방출하기 위한 재료로서 적합하지 않은 것은?
문제·정답 확인 → - 2012년05월20일67번
서미스터에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?
문제·정답 확인 → - 2012년05월20일68번
어떤 도체의 단면을 1[A]의 전류가 흐를 때 이 단면을 0.01초 동안에 통과하는 전자수는? (단, 전자의 정하량 Q=1.6×10-19[C]이다.)
문제·정답 확인 → - 2012년05월20일69번
트랜지스터 제조시 컬렉터 내부용량과 베이스 저항을 작게하는 이유는?
문제·정답 확인 → - 2012년05월20일70번
전자볼트(electron volt, eV)는 전자 한 개가 1볼트의 전위차를 통과할 때 얻는 운동 에너지를 1[eV]로 정한 것이다. 1[eV]는 대략 몇 J(joule) 인가?
문제·정답 확인 → - 2012년05월20일71번
반도체에 전장을 가하면 전자는 어떤 운동을 하는가?
문제·정답 확인 → - 2012년05월20일72번
반도체의 특성에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?
문제·정답 확인 → - 2012년05월20일73번
균등자계 B내에 수직으로 속도 v로 입사한 전자의 속도를 2배로 증가시켰을 때, 전자의 운동은 어떻게 변하는가?
문제·정답 확인 → - 2012년05월20일74번
다음 중 물질의 구성과 관계없는 요소는?
문제·정답 확인 → - 2012년05월20일75번
반도체에서의 확산전류 밀도 J는? (단, n은 캐리어의 농도, q는 캐리어의 전하, D는 확산 정수, x는 거리이며, 1차원적인 구조의 경우를 생각한다.)
문제·정답 확인 → - 2012년05월20일76번
자유전자가 정공에 의해 다시 잡혀서 정공을 채운다. 이러한 과정을 무엇이라 하는가?
문제·정답 확인 → - 2012년05월20일77번
터널 다이오드(Tunnel Diode)에서 터넬링(Tunnelling)은 언제 발생하는가?(정답률:알수없음)
문제·정답 확인 → - 2012년05월20일78번
쉬뢰딩거(Schröinger) 방정식에 관한 설명으로 옳지 않은 것은?
문제·정답 확인 → - 2012년05월20일79번
파울리(Pauli)의 배타 원리가 적용되는 통계 방식의 종류는?
문제·정답 확인 → - 2012년05월20일80번
페르미(Fermi) 준위가 금지대의 중앙에 위치하여 자유전자와 정공의 농도가 같은 반도체는?
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