전자기사 · 과목별 복습
전자기사 물리전자공학 기출문제 · 14페이지
물리전자공학에 분류된 여러 회차의 기출문제를 모았습니다. 먼저 답을 생각해 본 뒤 문제를 열어 정답과 제공되는 해설을 확인해 보세요.
보유 기출문제의 과목 분류를 기준으로 묶었습니다. 회차마다 출제 범위와 기준이 다를 수 있으니 각 문항의 회차를 함께 확인해 주세요.
전체 1,040문제
521–560번째 · 14/26페이지
- 2012년03월04일61번
펀치스루(punch through) 현상에 대한 설명으로 가장 옳지 않은 것은?
문제·정답 확인 → - 2012년03월04일62번
FET가 초퍼(Chopper)로 적합한 가장 큰 이유는?
문제·정답 확인 → - 2012년03월04일63번
100[V] 전압으로 가속된 전자 속도는 25[V]의 전압으로 가속된 전자 속도의 몇 배인가?
문제·정답 확인 → - 2012년03월04일64번
다음 중 FET를 단극성 소자라고 하는 이유는?
문제·정답 확인 → - 2012년03월04일65번
온도가 상승하면 N형 반도체의 페르미(Fermi) 준위는?
문제·정답 확인 → - 2012년03월04일66번
다음 중 2종의 금속을 접속하고 직류를 흘리면 그 접합부에 온도 차이가 생기는 효과는?
문제·정답 확인 → - 2012년03월04일67번
페르미준위 Ef 에서 진성 반도체의 Fermi-Dirac 분포함수의 값은?
문제·정답 확인 → - 2012년03월04일68번
2500[V]의 전압으로 가속된 전자의 속도는? (단, 전자질량은 9.11×10-31[kg]이고, 전하량은 1.6×10-19[C]이다.)
문제·정답 확인 → - 2012년03월04일69번
다음 중 열음극을 갖는 것은?
문제·정답 확인 → - 2012년03월04일70번
진성반도체에서 온도에 따른 페르미 준위와의 관계로 가장 옳은 것은?
문제·정답 확인 → - 2012년03월04일71번
접합형 트랜지스터의 구조에 대한 설명으로 옳은 것은?
문제·정답 확인 → - 2012년03월04일72번
Fermi-Dirac 분포함수 f(E)에 대한 설명으로 옳지 않은 것은? (단, Ef는 페르미준위이다.)
문제·정답 확인 → - 2012년03월04일73번
1[eV]를 가장 잘 설명한 것은?
문제·정답 확인 → - 2012년03월04일74번
다음 중 에필택셜(epitaxial) 성장이란?
문제·정답 확인 → - 2012년03월04일75번
낮은 전압에서는 큰 저항을 나타내며, 높은 전압에서는 작은 저항값을 갖는 소자는?
문제·정답 확인 → - 2012년03월04일76번
pn접합 다이오드의 확산 용량에 관한 설명으로 옳은 것은?(정답률:알수없음)
문제·정답 확인 → - 2012년03월04일77번
홀(Hall) 계수에 의해서 구할 수 있는 사항을 가장 잘 표현한 것은?
문제·정답 확인 → - 2012년03월04일78번
입자와 파동의 성질을 동시에 갖는 미립자에서 입자의 운동량(P)과 평균 파장(λ) 사이의 관계식이 올바르게 연결된 것은? (단, h는 프랑크 상수)
문제·정답 확인 → - 2012년03월04일79번
베이스 접지시 전류증폭률이 0.98일 때, 이미터 접지시 전류증폭률은?
문제·정답 확인 → - 2012년03월04일80번
반도체에서 아이슈타인(Einstein)의 관계식은 확산계수와 무엇과의 관계를 나타내는 것인가?
문제·정답 확인 → - 2011년10월02일61번
길이 10[mm], 이동도 0.16[m2/Vㆍsec]인 N형 Si의 양단에 전압 10[V]을 가했을 때 전자의 속도는?(정답률:알수없음)
문제·정답 확인 → - 2011년10월02일62번
절대온도 0[K]에서 금속 내 자유전자 평균 온동 에너지는? (단, EF는 페르미 준위이다.)(정답률:알수없음)
문제·정답 확인 → - 2011년10월02일63번
전자의 운동량(P)과 파장(λ) 사이의 드브로이(De Broglie) 관계식은? (단, h는 Plank 상수)(정답률:알수없음)
문제·정답 확인 → - 2011년10월02일64번
컬렉터 접합의 공간 전하층은 컬렉터 역바이어스가 증가함에 따라 넓어지며 따라서 베이스 중성영역의 폭이 줄어든다. 이러한 현상은?(정답률:알수없음)
문제·정답 확인 → - 2011년10월02일65번
절대온도 0[K]가 아닌 상태의 에너지 준위에서 입자의 점유율이 1/2이 되는 조건은?(정답률:알수없음)
문제·정답 확인 → - 2011년10월02일66번
2500[V]의 전압으로 가속된 전자의 속도는 약 얼마인가?(정답률:알수없음)
문제·정답 확인 → - 2011년10월02일67번
Ge의 진성 캐리어 밀도는 상온에서 Si보다 높다. 그 이유에 대한 설명으로 가장 옳은 것은?(정답률:알수없음)
문제·정답 확인 → - 2011년10월02일68번
금속의 2차 전자 방출비에 대하여 가장 옳게 설명한 것은?(정답률:알수없음)
문제·정답 확인 → - 2011년10월02일69번
MOSFET에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?(정답률:알수없음)
문제·정답 확인 → - 2011년10월02일70번
전자와 정공의 이동도가 각각 0.32[m2/Vㆍs], 0.18[m2/Vㆍs]이고 저항률이 0.5[Ωㆍm]인 진성반도체의 캐리어 밀도는? (단, 전자의 전하량은 -1.6×10-19 [C]이다.)(정답률:알수없음)
문제·정답 확인 → - 2011년10월02일71번
다음 중 N형 반도체를 표시하는 식으로 옳은 것은? (단, n : 전자의 농도, p : 정공의 농도)(정답률:알수없음)
문제·정답 확인 → - 2011년10월02일72번
피에조 저항(piezo resistance)은?(정답률:알수없음)
문제·정답 확인 → - 2011년10월02일73번
마치 3극관이 음극에서 양극에 향하는 전자류를 격자에 의하여 제어하듯이 N형(또는 P형) 반도체 내의 전자(정공)의 흐름을 제어하는 것은?(정답률:알수없음)
문제·정답 확인 → - 2011년10월02일74번
캐리어의 확산 거리는 무엇에 의존하는가?(정답률:알수없음)
문제·정답 확인 → - 2011년10월02일75번
실리콘 단결정 반도체에서 N형 불순물로 사용될 수 있는 것은?
문제·정답 확인 → - 2011년10월02일76번
다음 중 광양자가 에너지와 운동량을 갖고 있음을 나타내는 것은?(정답률:알수없음)
문제·정답 확인 → - 2011년10월02일77번
기체 중에서 방전 현상은 어느 현상에 해당하는가?
문제·정답 확인 → - 2011년10월02일78번
에너지 준위도에서 0 준위는?
문제·정답 확인 → - 2011년10월02일79번
열평형 상태에서 pn 접합 전류가 0이라면, 그 의미는?(정답률:알수없음)
문제·정답 확인 → - 2011년10월02일80번
다음 중 반도체 레이저의 일반적인 특징에 관한 설명으로 옳지 않은 것은?
문제·정답 확인 →