전자기사 · 과목별 복습
전자기사 물리전자공학 기출문제 · 16페이지
물리전자공학에 분류된 여러 회차의 기출문제를 모았습니다. 먼저 답을 생각해 본 뒤 문제를 열어 정답과 제공되는 해설을 확인해 보세요.
보유 기출문제의 과목 분류를 기준으로 묶었습니다. 회차마다 출제 범위와 기준이 다를 수 있으니 각 문항의 회차를 함께 확인해 주세요.
전체 1,040문제
601–640번째 · 16/26페이지
- 2010년09월05일61번
FET가 초퍼(Chopper)로 적합한 가장 큰 이유는?
문제·정답 확인 → - 2010년09월05일62번
100[V] 전압으로 가속된 전자속도는 25[V]의 전압으로 가속된 전자속도의 몇 배인가?
문제·정답 확인 → - 2010년09월05일63번
고속의 전자(이온)가 금속의 표면에 충돌하면 금속 안의 자유전자가 방출되는 현상은?
문제·정답 확인 → - 2010년09월05일64번
전자 수가 32인 원자의 가전자 수는?
문제·정답 확인 → - 2010년09월05일65번
n채널 전계 효과 트랜지스터에 흐르는 전류는 주로 어느 현상에 의한 것이다.
문제·정답 확인 → - 2010년09월05일66번
일정한 온도에서 n형 반도체의 도너 불순물 밀도를 증가시키면 페르미 준위는?
문제·정답 확인 → - 2010년09월05일67번
실리콘 단결정 반도체에서 P형 불순물을 사용될 수 있는 것은?(정답률:알수없음)
문제·정답 확인 → - 2010년09월05일68번
Pauli의 배타율 원리에 대한 설명으로 틀린 것은?
문제·정답 확인 → - 2010년09월05일69번
금소의 일함수에 대한 설명으로 틀린 것은?
문제·정답 확인 → - 2010년09월05일70번
터널 다이오드가 부성 저항 영역을 갖는 이유는?
문제·정답 확인 → - 2010년09월05일71번
이동도(mobility)에 관한 설명으로 틀린 것은?
문제·정답 확인 → - 2010년09월05일72번
25[℃]에서 8.2[V]인 제너 다이오드가 0.05[%/℃]의 온도계수를 가질 때 60[℃]에서의 제너 전압은?
문제·정답 확인 → - 2010년09월05일73번
1[eV]를 가장 잘 설명한 것은?
문제·정답 확인 → - 2010년09월05일74번
FET에서 차단주파수 fT를 높이는 방법으로 틀린 것은?
문제·정답 확인 → - 2010년09월05일75번
핀치 오프 전압이 -4[V]이고, VGS=0일 때 드레인 전류(IDSS)가 8[mA]인 JFET에서 VGS=-1.8[V]일 때 드레인 전류는?
문제·정답 확인 → - 2010년09월05일76번
컬렉터 접합부의 온도 상승으로 인하여 트랜지스터가 파괴되는 현상은?
문제·정답 확인 → - 2010년09월05일77번
진성반도체에 있어서 전도대의 전자밀도 n은 에너지 gap Eg의 크기에 따라 변한다. 다음 중 옳은 것은?
문제·정답 확인 → - 2010년09월05일78번
빛의 파장이 4.5×10-10 [m]일 때 광자의 에너지는? (단, 플랑크상수는 6.6×10-34[Jㆍs]이다.)
문제·정답 확인 → - 2010년09월05일79번
어떤 도체의 단면을 1[A]의 전류가 흐를 때, 이 단면을 0.01초 동안에 통과하는 전자수는?
문제·정답 확인 → - 2010년09월05일80번
진성반도체의 페르미 준위는?
문제·정답 확인 → - 2010년05월09일61번
얼리(Early) 효과와 가장 관련이 깊은 것은?(정답률:알수없음)
문제·정답 확인 → - 2010년05월09일62번
진성 반도체에서 전도대 준위가 0.3[eV]이고, 가전자대 준위가 0.7[eV]이면 페르미 준위는?(정답률:알수없음)
문제·정답 확인 → - 2010년05월09일63번
확산 현상에 대한 설명 중 옳은 것은?(정답률:알수없음)
문제·정답 확인 → - 2010년05월09일64번
진성 반도체에서 드리프트 전류의 대부분이 자유전자에 의해 발생하는 가장 큰 이유는?(정답률:알수없음)
문제·정답 확인 → - 2010년05월09일65번
정공의 확산계수 DP=55×10-4[m2/s]이고, 정공의 평균 수명 τP=10-6 [s]일 때 확산 길이(mean free path)는?(정답률:알수없음)
문제·정답 확인 → - 2010년05월09일66번
터널 다이오드의 부성저항 특성을 이용한 것은?
문제·정답 확인 → - 2010년05월09일67번
온도가 상승하면 N형 반도체의 페르미(Fermi) 준위는?(정답률:알수없음)
문제·정답 확인 → - 2010년05월09일68번
금속에 빛을 비추면 금속표면에서 전자가 공간으로 방출되는 것은?
문제·정답 확인 → - 2010년05월09일69번
N형 불순물로 사용될 수 없는 것은?(정답률:알수없음)
문제·정답 확인 → - 2010년05월09일70번
트랜지스터의 α차단 주파수에 대한 설명으로 옳은 것은?
문제·정답 확인 → - 2010년05월09일71번
2500[V]의 전압으로 가속된 전자의 속도는? (단, 전자질량은 9.11×10-31 [kg]이고, 전하량은 1.6×10-19 [C]이다.)
문제·정답 확인 → - 2010년05월09일72번
페리미 준위에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?(정답률:알수없음)
문제·정답 확인 → - 2010년05월09일73번
다음 중 Fermi-Dirac 분포 함수는?(정답률:알수없음)
문제·정답 확인 → - 2010년05월09일74번
일반 BJT와 비교한 MOSFET의 장점으로 틀린 것은?(정답률:알수없음)
문제·정답 확인 → - 2010년05월09일75번
반도체 내의 캐리어의 이동도(μ)와 확산계수(D) 사이의 관계로 옳은 것은?(정답률:알수없음)
문제·정답 확인 → - 2010년05월09일76번
P형 반도체의 정공이 1[m2]당 4.4×1020개일 때 이 반도체의 도전율은? (단, 정공의 이동도는 0.17[m2/Vㆍs]이다.)(정답률:알수없음)
문제·정답 확인 → - 2010년05월09일77번
9.5×104 [m/s]의 속도로 운동하는 수소원자의 드브로이(de Broglie)파의 파장은? (단, 수소원자의 질량은 1.67×10-24 [kg]이고, Plank 상수 h는 6.62×10-34[Js-1 ]이다.)(정답률:알수없음)
문제·정답 확인 → - 2010년05월09일78번
베이스 접지시 전류증폭률이 0.98일 때 이미터 접지시 전류증폭률은?(정답률:알수없음)
문제·정답 확인 → - 2010년05월09일79번
PN 접합에 관한 다음의 설명 중 옳은 것은?(정답률:알수없음)
문제·정답 확인 → - 2010년05월09일80번
전압에 따라 저항값이 크게 변하는 소자로서 서지 전압에 대한 회로보호 등의 기능으로 사용되는 것은?(정답률:알수없음)
문제·정답 확인 →