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전자기사 · 과목별 복습

전자기사 물리전자공학 기출문제 · 18페이지

물리전자공학에 분류된 여러 회차의 기출문제를 모았습니다. 먼저 답을 생각해 본 뒤 문제를 열어 정답과 제공되는 해설을 확인해 보세요.

보유 기출문제의 과목 분류를 기준으로 묶었습니다. 회차마다 출제 범위와 기준이 다를 수 있으니 각 문항의 회차를 함께 확인해 주세요.

전체 1,040문제

681–720번째 · 18/26페이지

  1. 물이 담긴 컵 안에 잉크 방울을 떨어뜨렸을 때 잉크가 주변으로 번져나가는 것을 볼 수 있다. 이러한 현상은 입자들이 농도가 높은 곳에서 낮은 곳으로 이동하여 균일하게 분포하려는 성향에 기인하는 것인데 이런 입자의 움직임을 무엇이라 하는가?(정답률:알수없음)

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  2. 길이 10[mm], 이동도 0.16[m2/Vㆍsec]인 N형 Si의 양단에 전압 10[V]를 가했을 때 전자의 속도는?(정답률:알수없음)

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  3. 트랜지스터가 차단 영역에 있을 때 접합 면에 걸리는 전압은?(정답률:알수없음)

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  4. 다음 중 캐리어의 확산 거리에 대한 설명으로 옳은 것은?(정답률:알수없음)

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  5. 다음과 같은 현상을 무엇이라 하는가?(정답률:알수없음)

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  6. 다음 중 정전압용으로 사용되는 다이오드는?(정답률:알수없음)

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  7. 다음 반도체의 설명 중 옳지 않은 것은?(정답률:알수없음)

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  8. 다음 중 에너지밴드에 속하지 않는 것은?(정답률:알수없음)

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  9. 금속체 내에 있는 전자가 표면장벽을 넘어서 금속 밖으로 방출되기 위하여 필요한 최소의 에너지를 가리키는 것은?(정답률:알수없음)

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  10. 진공 속의 텅스텐(W) 표면에서 전자 1개가 방출하는 데 최소한 몇 Joule의 에너지를 필요로 하는가? (단, 텅스텐의 일 함수는 4.52[eV]이다.)(정답률:알수없음)

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  11. 입자와 파동의 성질을 동시에 갖는 미립자에서 입자의 운동량(P)과 평균 파장(λ) 사이의 관계식이 올바르게 연결된 것은? (단, h 는 프랑크 상수)(정답률:알수없음)

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  12. 다음 중 페르미-디락(Fermi-Dirac)의 분포함수는?(정답률:알수없음)

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  13. 쌍극성 접합 트랜지스터(BJT)의 순방향 전류전달비 αF가 0.98일 때 전류이득 βF는?(정답률:알수없음)

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  14. 접합형 다이오드가 점접촉 다이오드보다 우수한 점으로 옳지 않은 것은?(정답률:알수없음)

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  15. 다음 중 반도체의 저항이 온도에 의해 변화하는 소자는?(정답률:알수없음)

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  16. 반도체에 관한 내용으로 잘못 짝 지워 놓은 것은?(정답률:알수없음)

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  17. 다음 중 더블 베이스 다이오드(double base diode)라고도 하는 것은?(정답률:알수없음)

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  18. 진성 반도체에 있어서 Fermi 준위의 위치는? (단, Ec는 전도대(conduction band) 중에서 가장 낮은 에너지 준위이고, Ev는 가전대(valence band) 중에서 가장 높은 에너지 준위이다.)(정답률:알수없음)

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  19. PN 접합 다이오드에 순바이어스를 인가할 때 공핍층 근처의 소수캐리어 밀도는 어떻게 변화하는가?(정답률:알수없음)

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  20. 양자(Quantum) 1개의 질량은 약 얼마인가?(정답률:알수없음)

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  21. 균등 전계내 전자의 운동에 관한 설명 중 옳지 않은 것은?(정답률:알수없음)

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  22. 다음 중 전자의 비전하를 의미하는 것으로 옳은 것은?(정답률:알수없음)

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  23. 정공의 확산계수 DP = 55[cm2/sec]이고, 정공의 평균수명 τP = 10-6[sec]일 때의 확산 길이는 약 얼마인가?(정답률:알수없음)

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  24. 다음 중 열음극을 갖는 것은?(정답률:알수없음)

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  25. 반도체에서 용량의 변화에 의해 동작되는 소자로 가변용량 다이오드라고도 하는 것은?(정답률:알수없음)

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  26. 열평형 상태에서 PN접합 전류가 zero(dud)라는 의미는?(정답률:알수없음)

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  27. n채널 전계 효과 트랜지스터(Field Effect Transister)에 흐르는 전류는 주로 어느 현상에 의한 것인가?(정답률:알수없음)

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  28. 광전자 방출에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?(정답률:알수없음)

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  29. 다음 중 접합형 트랜지스터가 개폐기로 쓰이는 영역은?(정답률:알수없음)

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  30. 루비 레이저(ruby Laser)의 펌핑(pumping) 에너지는?(정답률:알수없음)

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  31. Si 접합형 npn 트랜지스터의 베이스폭이 10-5[m]일때, α차단 주파수는 약 몇 [MHz] 인가? (단, Si의 전자이동도 μn은 0.15[m2/Vㆍs]이다.)(정답률:알수없음)

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  32. 다음 중 Fermi-Dirac 분포 함수는?(정답률:알수없음)

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  33. 2×104[m/sec]의 속도로 운동하는 전자의 드브로이(deBroglie) 파장은? (단, 프랑크 상수는 6.626×10-34[Jㆍsec], 전자의 질량은 9.1×10-31[kg])(정답률:알수없음)

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  34. 일 함수(work function)의 설명 중 옳지 않은 것은?(정답률:알수없음)

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  35. 전계의 세기 E = 105[V/m]의 평등 전계 중에 놓인 전자에 가해지는 전자의 가속도는 약 얼마인가?(정답률:알수없음)

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  36. PN 접합 다이오드의 용량(Capacitance)에는 확산용량(Diffusion Capacitance) Cd와 접합용량(Junction Capacitance) Ct가 있다. 다음 중 옳은 것은?(정답률:알수없음)

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  37. 반도체 재료의 제조시 고유저항 측정을 가끔하는 이유는?(정답률:알수없음)

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  38. 터널 다이오드(Tunnel Diode)에서 터넬링(Tunnelling)은 언제 발생하는가?(정답률:알수없음)

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  39. 트랜지스터의 고주파 특성으로서 차단주파수 α는 무엇으로 결정되는가?(정답률:알수없음)

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  40. T=0[°K]에서 전자가 가질 수 있는 최대에너지 준위는?(정답률:알수없음)

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