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전자기사 · 과목별 복습

전자기사 물리전자공학 기출문제 · 17페이지

물리전자공학에 분류된 여러 회차의 기출문제를 모았습니다. 먼저 답을 생각해 본 뒤 문제를 열어 정답과 제공되는 해설을 확인해 보세요.

보유 기출문제의 과목 분류를 기준으로 묶었습니다. 회차마다 출제 범위와 기준이 다를 수 있으니 각 문항의 회차를 함께 확인해 주세요.

전체 1,040문제

641–680번째 · 17/26페이지

  1. 펀치스루(punch through) 현상에 대한 설명으로 가장 옳지 않은 것은?

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  2. 열전자를 방출하기 위한 재료의 조건으로 옳지 않은 것은?

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  3. 진성 반도체에서 온도가 상승하면?(정답률:알수없음)

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  4. 다음은 드브로이(de Broglie) 전자파의 파장 λ를 나타내는 관계식이다. h에 가장 합당한 것은?

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  5. 전자가 외부의 힘(열, 빛, 전장)을 받아 핵의 구속력으로부터 벗어나 결정 내를 자유로이 이동할 수 있는 자유전자의 상태로 존재하는 에너지대는?

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  6. 분포함수란 어떤 에너지에 대해 입자가 차지하고 있을 확률을 의미하는데 다음 중 이러한 분포함수가 아닌 것은?

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  7. 300[°K]에서 페르미 준위보다 0.1[eV]만큼 낮은 에너지 준위에 전자가 점유하는 확률은 약 얼마인가?

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  8. 터널 다이오드(tunnel diode)의 특징 중 옳지 않은 것은?(정답률:알수없음)

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  9. 쉬뢰딩거(Schrodinger) 방정식에 관한 설명으로 옳지 않은 것은?

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  10. 진성반도체에서 온도에 따른 페르미 준위와의 관계로 가장 옳은 것은?

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  11. 가전자대의 전자가 빛의 에너지를 흡수하여 전도대로 올라감으로써 한 쌍의 자유 전자와 정공이 생성되는 현상은?(정답률:알수없음)

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  12. 열전자 방출에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

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  13. 순수 반도체가 절대온다 0[°K]의 환경에 존재하는 경우 이 반도체의 특성을 바르게 설명한 것은?

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  14. 어떤 반도체의 금지대폭 Eg가 상온 300[°K]에서 500[kT]일 때 이 반도체가 도전 상태가 되기 위한 필요 에너지는 약 얼마인가?

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  15. PN 접합시 순방향으로 바이어스 되었을 때의 설명 중 옳은 것은?

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  16. 균일한 정자계 B속으로 자계와 직각 방향으로 속도 V로 전자가 들어갔다. 이때 속도 V를 2배로 변경했을 때 전자의 운동은 어떻게 되겠는가?(정답률:알수없음)

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  17. 1[Coulomb]의 전하량은 전자 몇 개가 필요한가? (단, e=1.602×10-19[C])

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  18. CCD(Charge-coupled divice)의 동작 원리와 가장 유사한 전자 소자는?(정답률:알수없음)

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  19. JFET의 핀치오프 전압에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

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  20. 다음 중 서미스터(thermistor)의 재료가 될 수 없는 것은?

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  21. 확산 정수 D, 이동도 μ, 절대온도 T간의 관계식을 옳게 나타낸 것은? (단, k는 볼츠만 상수이고, e는 캐리어의 전하이다.)(정답률:알수없음)

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  22. 접합 트랜지스터에서 주입된 과잉 소수 캐리어는 베이스 영역을 어떤 방법에 의해서 흐르는가?(정답률:알수없음)

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  23. 실리콘 제어 정류소자(SCR)의 설명으로 옳지 않은 것은?(정답률:알수없음)

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  24. 양자화된 에너지로 분포되나 파울리(Pauli)의 배타 원리가 적용되지 않는 광자를 취급하는 분포 함수는?(정답률:알수없음)

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  25. 다음과 같은 원리와 관계되는 것은?(정답률:알수없음)

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  26. 다음 중 FET를 단극성 소자라고 하는 이유는?(정답률:알수없음)

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  27. 광전자 방출 현상에 있어서 방출된 전자의 에너지는?(정답률:알수없음)

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  28. 2500[V]의 전압으로 가속된 전자의 속도는 약 얼마인가?(정답률:알수없음)

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  29. 진성 반도체에서 전자나 정공의 농도가 같다고 할 때 전도대의 준위를 0.4[eV], 가전자대의 준위가 0.8[eV]라 하면 Fermi 준위는 몇 [eV] 인가?(정답률:알수없음)

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  30. 선형적인 증폭을 위해서 트랜지스터의 동작점은?(정답률:알수없음)

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  31. Pauli의 배타율 원리를 만족하는 분포 함수는?(정답률:알수없음)

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  32. 다음 중 1[eV]의 운동에너지 값은?(정답률:알수없음)

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  33. 다음 원소 중 P형 반도체를 만드는 불순물이 아닌 것은?(정답률:알수없음)

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  34. 반도체의 특성에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?(정답률:알수없음)

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  35. 페르미(Fermi) 준위가 금지대의 중앙에 위치하여 자유전자와 정공의 농도가 같은 반도체는?

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  36. 전계의 세기 E = 105[V/m]의 평등 전계 중에 놓인 전자에 가해지는 전자의 가속도는 약 얼마인가?(정답률:알수없음)

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  37. 다음 중 에피택셜(epitaxial) 성장이란?(정답률:알수없음)

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  38. 컬렉터 접합의 공간 전하층은 컬렉터 역바이어스가 증가함에 따라 넓어지며 따라서 베이스 중성영역의 폭이 줄어든다. 이러한 현상은?(정답률:알수없음)

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  39. 다음 중 물질의 구성과 관계없는 입자는?(정답률:알수없음)

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  40. pn접합 다이오드의 확산 용량에 관한 설명으로 옳은 것은?(정답률:알수없음)

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