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전자기사 · 과목별 복습

전자기사 물리전자공학 기출문제 · 19페이지

물리전자공학에 분류된 여러 회차의 기출문제를 모았습니다. 먼저 답을 생각해 본 뒤 문제를 열어 정답과 제공되는 해설을 확인해 보세요.

보유 기출문제의 과목 분류를 기준으로 묶었습니다. 회차마다 출제 범위와 기준이 다를 수 있으니 각 문항의 회차를 함께 확인해 주세요.

전체 1,040문제

721–760번째 · 19/26페이지

  1. 300[°K]에서 Fermi 준위 Ef 보다 0.1[eV] 낮은 에너지(Energy) 준위에 전자가 점유할 확률은 약 몇 [%] 인가?(정답률:알수없음)

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  2. 반도체에 전계를 가하면 정공의 드리프트(drift) 속도의 방향은 어떻게 되는가?(정답률:알수없음)

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  3. 다음 중 반도체 내의 캐리어의 이동도(μ)와 확산 계수 (D) 사이의 관계가 바르게 된 것은?(정답률:알수없음)

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  4. 전자가 외부의 힘(열, 빛, 전장을) 받아 핵의 구속력으로부터 벗어나 결정 내를 자유로이 이동할 수 있는 자유전자의 상태로 존재하는 에너지대는?(정답률:알수없음)

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  5. 일반적으로 순수(intrinsic) 반도체에서 온도의 상승으로 나타나는 현상에 대한 설명으로 옳은 것은?(정답률:알수없음)

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  6. 억셉터 불순물로 사용되는 원소가 아닌 것은?(정답률:알수없음)

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  7. 다음 중 플라즈마(Plasma)와 같은 기체 상태의 경우 적용될 수 있는 분포식은?(정답률:알수없음)

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  8. 다음 중 물질에서 전자가 방출할 수 있는 조건으로 적당하지 않은 것은?(정답률:알수없음)

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  9. 마치 3극관이 음극에서 양극에 향하는 전자류를 격자에 의하여 제어하듯이 N형(또는 P형) 반도체 내의 전자(정공)의 흐름을 제어하는 것은?(정답률:알수없음)

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  10. 페르미 준위에 대한 설명으로 옳은 것은?(정답률:알수없음)

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  11. 드브로이(de Broglie) 물질파의 개념으로 볼 때 전자파의 파장이 무한대일 경우 전자의 상태는?(정답률:알수없음)

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  12. 다음 중 열평형 상태에서 있는 반도체에서 정공(正孔) 밀도 p와 전자밀도 n을 곱한 pn적에 관한 설명으로 옳은 것은?(정답률:알수없음)

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  13. PN 접합의 역전압 의존성을 이용한 소자는?(정답률:알수없음)

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  14. 트랜지스터 증폭기에서 부하 저항이 클수록 전류 이득은?(정답률:알수없음)

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  15. 다음 중 얼리(Early) 효과와 관계되는 것은?(정답률:알수없음)

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  16. 1[Couloeb]의 전하량은 전자 몇 개가 필요한가? (단, e = 1.602×10-19[C])(정답률:알수없음)

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  17. 서로 다른 도체로 폐회로를 구성하고 직류 전류를 흐르게 하면, 전류의 방향에 따라 서로 다른 도체 사이의 접합의 한쪽은 가열되는 반면, 또 다른 한쪽은 냉각이 되는 효과를 무엇이라 하는가?(정답률:알수없음)

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  18. 접합형 트랜지스터의 구조를 올바르게 설명한 것은?(정답률:알수없음)

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  19. 진성 반도체에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?(정답률:알수없음)

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  20. 빛의 파동성을 입증할 수 있는 근거는?(정답률:알수없음)

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  21. 다음 설명 중 옳지 않은 것은?(정답률:알수없음)

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  22. 일정한 자속밀도 B를 가지고 있는 균일한 자계와 수직을 이루는 평면상을 일정한 속도 v로 원운동하고 있는 전자의 회전 주기에 관계없는 것은?(정답률:알수없음)

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  23. 300[K]에서 P형 반도체의 억셉터 준위가 32[%]가 채워져 있을 때 페르미 준위와 억셉터 준위의 차이는 몇 [eV] 인가?(정답률:알수없음)

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  24. 순수 반도체가 절대온도 0[K]의 환경에 존재하는 경우, 이 반도체의 특성을 가장 바르게 설명한 것은?(정답률:알수없음)

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  25. P 채널 전계 효과 트랜지스터(FET)에 흐르는 전류는 주로 어느 현상에 의한 것인가?(정답률:알수없음)

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  26. 전자의 운동량(P)과 파장(λ) 사이의 드브로이(DeBroglie) 관계식은? (단, h는 Plank 상수)(정답률:알수없음)

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  27. 서미스터(thermistor)에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?(정답률:알수없음)

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  28. 반도체에 전계(E)를 가하면 정공의 드리프트(drift) 속도의 방향은?(정답률:알수없음)

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  29. 운동 전자가 가지는 파장이 3×10-10 [m]인 경우, 그 전자의 속도는? (단, 프랭크 상수 h = 6.6×10-34[Jㆍsec], 전자의 질량 m = 9.1×10-31[kg](정답률:알수없음)

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  30. 전자 방출에서 전계에 의해서 일함수가 작아져서 전자 방출이 쉬워지는 현상을 무엇이라 하는가?(정답률:알수없음)

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  31. 전자가 광속도로 운동을 할 때, 이 전자의 질량은?(정답률:알수없음)

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  32. 전자의 전체 에너지를 E, 운동량은 P라 하면 위치 에너지는?(정답률:알수없음)

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  33. 실리콘 단결정 반도체에서 P형 불순물로 적합하지 않은 것은?(정답률:알수없음)

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  34. PN 접합의 공간 전하영역에 대한 설명으로 가장 옳은 것은?(정답률:알수없음)

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  35. 500[V] 전압으로 가속된 전자의 속도는 10[V]의 전압으로 가속된 전자 속도의 몇 배인가?(정답률:알수없음)

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  36. 에너지 준위도에서 0 준위는?(정답률:알수없음)

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  37. 컬렉터(collector) 접합부의 온도 상승으로 인하여 트랜지스터가 파괴되는 현상은?(정답률:알수없음)

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  38. 접합 트랜지스터에서 주입된 과잉 소수 캐리어는 베이스 영역을 어떤 방법에 의해서 흐르는가?(정답률:알수없음)

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  39. 어떤 도체의 단면을 1[A]의 전류가 흐를 때, 이 단면을 0.01초 동안에 통과하는 전자수는? (단, 전자의 전하량 Q = 1.6×10-19 [C]이다.)(정답률:알수없음)

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  40. 한 금속 표면에 6500[Å] 미만의 파장을 갖는 빛을 조사하였을 경우에만 광전자가 튀어 나왔다면 이 금속의 일함수는 약 얼마인가?(정답률:알수없음)

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